内容详见本标准。 GB/T 17573-1998 半导体器件 分立器件和集成电路 第1部分:总则 GB/T17573-1998 标准下载解压密码：www.bzxz.net

GB/T 17573::1998
本标准等同采用国际标准IEC747-1.:1983《半导体器件分立器件和集成电路第1部分：总则》，1991 年 9 月,IEC: 747-1 作了第一次修订:1993 年 10月,IFC 747-1作了第二次修讨。本标准包括了这两次惨订的内容。
由于IEC 747-1作了两次修订·使图号的躺序打乱，本标饿根据图出现的先后顺序垂新编排了图号。
本标准的第 1篇至第篇是对[EC: 747 和 IHC 748 这两套标准的范围、说明和要求,不涉及具体内容，为便于和1EC标准等同，仍保留这三篇。但因我国标准给号与IEC不同，不便于叙述，故仍直接使用IEC标准号教述。IEC 标准与国家标准对应如下：IEC 747-1
IEC747-2
IEC747-3
IEC:748-1
IEC7482
GB/T17573-1998
GB/T 4023—1997
GB/T 6571—1995
GB/T 16464---1996
GB/T 17574 :-1998
本标准由中华人民共和国电子工业部提出。本标推由全国半导体器件标准化技术委员会归口，本标推由电子工业部标准化研究所负资起草，本标推主要起草人：王长福、顾振球、吴逵、十丽芬。GB/T17573-·1998
IEC前言
1)IEC:(国际电工委员会)在技术问题上的正式决议或协议,是由对这些问题特别关划的国家委员会参加的技术委员会制定的，对所涉及的间题尽可能地代表了国际上的一致意见2）这些决议或协议，以推荐标准的形式供国际上使用，并在此意义1为各国家委员会所认可。3)为了促进国际间的统一,IEC 望各国家委员会在本国条件许可的情况下,采用 IEC:标准的文本作为其国家标准，IEC标准与相应国家标准之间的差异，应尽能在国家标准中指明。本标摊是国际电工委员会第17技术委员会（2平导体器件利集成电路）制定的，IEC 747-1标准构成半导体器件通用标准的第部分，它给出的是通用条文，IEC 747·2,IEC 747-3等标推中的每一个标准，是给某种类型的器件提出补充条文。1982年9月在伦敦举行的第47技术委员会会议上，批准了将IEC147和IEC148标准改编成现行的按器件编排的建议。由于所有的组成部分都已预先按“六个月法”或“一个月程序”表决批推，因而无需重新表决。
IEC147和IEC148标准中有关集成电路的内容已包括在IEC747-1和IEC748标准中IEC147-5和IEC147-5A标准巾有关机械和气候试验方法的内容，已包括在IEC749标准中。1 IEC 747 标准
1.1范围
中华人民共和国国家标准
半导体器件
分立器件和集成电路
第1部分：总则
Semiconductor devices
Discrete devices and integrated clrcuitsPart 1:Generai
GB/T 17573—1998
idt IEC 747-1:1983
第 I 篇IEC 747 和IEC 748 标准的范围和说明IEC747标准包括如下内容：
分立器件和集成电璐的通用标推；为完善分立器件标准用的补充标准。1.2说明
1IEC747标推由单行本IEC747-1、IEC747-2等儿个标准组成。通过发布补充件，例如IEC747]A，来限上时代的发展。
21EC748标准
2.1范围
IEC748标准应与IEC7471标推一越使用。IEC748标推给出了有关集成电路的标准。2.2说明
IEC 748标准由单行本 IEC:748·1.IEC 748 2等尼个标推组成，通过发布补充件+例如IEC 748-1A来眼上时代的发展。
第I篇IEC 747-1标准的目的和说明1目的
—提供有关IEC:747和IEC:748标准（见第1篇）的范围和说明的通用内容：提供有关适用于IEC747-2、IEC747-3等各类或各分类分立器件标谁的一股原则或要求的内容。
2说明
有关一般原则或要求的内容在IEC 747-1标准的第Ⅲ至第区篇中给予说明。注：第Ⅱ至X菊的内容:
国家质量技术监督局1998-11-17批准1999-06-01实施
GB/T 17573—1998
一第丑常：关于IEC7472、JEC747-3等标准的H的、说明和要求。它主要规定了这些标准的标准格式，-第篇:术许(通用部分：包站为理解 IEC 717 和 IEC 718 标准所必渐的一系列的基本术语和定义第‘文字符号(通乃部分)，规定『分立器件和集或电路文字符号休系：第江篇基本额定值和特性（通用部分）。特别规定了如下内窄：
：对电、机械和热等提出的总要求：介绍发布资料的标准格式，
，给术语\频定值\下定义；
，列了温度、电玉和电流的推荐值，第证篇;一般测战方法和基准测试方法(通用部分)。主要提供了这样的内容：为了得到可重复和根差不大的测试结果所必须采取的注意事项。第证蕊：分立器件的接收和可错性（通用部分）提供了总要求，并对各类或各分类分立器件必须给出的特殊要求作了规定。. 第 K 箱,静电敏感据件
提供了适用于分立器件和巢成电降的静电敏感器件的操作要求和标点。第I篇IEC 747-2、IEC 747-3等标准的自的、说明和要求1 每个标准的目的
IEC747-2、IEC747-3等标准中的每…个标准为·种特定的器件类型规定了适用的内容和要求(IEC747-1标推除外）。
2对每个标准的说明
2.1篇的划分免费标准bzxz.net
第I篇:总则
第Ⅱ篇：名试术语和文字符号
第Ⅲ篇;基本额定值和特性
第V篇：测试方法
第{菊：接收和可靠性
2.2器件分类型的划分
在每个标推所涉及的器件类型一般都细分为几种分类型时，第Ⅱ篇和第V篇（见2.1)也要再分成与之对应的节。而第1、直篇则通常不按这种器件的分类型给册3 对每个标准各篇的要求
3.1对第「篇“总则\的要求
原则1提供只适用于该有关标准的通用内容，但可以超出这个标准中每一篇的限定范围3. 2对第 I篇\名词术语和文字符孕”的要求3. 2. 1 H的
对该器件类型给山：
a）用于理解该标谁所需要的专用术语和定义（在I747-1标准中已经给出的术语和定义除外）。b）推荐的文学符号，
3.2.2术语定义和文字符号的有效性第I篇中定义的某些术语可能在本标推的第 N篇中已作为通用术语下过定义,但这重可以给这些GB/T 17573—1998
术语下·个略有不同的定义,以便更适用于该种器件专有的特性。源则上,第1篇给出的术语、定义和文字符号对于有关器件类别所属的所有器件都是适用的,但对一种或几种分类型的进步限制是必要的,并应作出相应的标记。3.2.3文字符号
川按文字符号系统的通用规则(见本标准第√篇)来组成文字符号。3.3对第1篇“基本额定值和特性”的要求3.3.1日的
给每-~特定的分类型握供-系列的基本额定值和特性，它们是制造者为了说明其产品用的。所列出的这些额定值和特性对于器件互换性来说是最基本的,如果制造者愿意,可以给出补充资料。3.4对第T篇“测试方法”的要求3. 4. 1日的
对全帮有关的器件类型规定：
测试所要求的基本特性所要的测试方法的原理：验证某些所选用的额定值（极限值）的试验方法。3.5对第篇“接收和可靠性的要求3. 5. 1 且的
规定每-种类型所适用的接收和（或）可靠性试验。这些试验的全部必需细节都应按本标准第恤篇规定的规则给山。
名词术语（通用部分）
第N篇
1引言
本标准中所包括的术语和定义有：一一与IEC50国际电工间汇（IEV)\对监的通用术语和定义·某些情说下采用了专业化措词：—已被批准作为 IEC:747和IFC:748 标准的专用术语和定义，2物理学术语
2. 1半导体
Eemiconductoi
电阻率通常介士金属和绝缘体之间且载流子浓度在一定温度范围内随温度的并高而增高的材料。2.2非本征半导体xtrinsi:etiionduetor载流子浓度依赖丁杂质或其他缺陷的半导体。2.3N型半导体N-1ype semiconduetor传导电了浓度大于可移动空穴浓度的非本征半导体。2.4 P 塑半导体 P type semiconductur可移动空穴浓度人于传导电子旅度的非本征半导休，2. 5
［型（本征）半导体I-type(intrinsic)semiconductor在热平衡条件下，电子和空穴浓度几乎是等的·接近纯的和埋想的半导体。2.6结 junction
不同电性能的半导体区域之间的过获区，2.7PN结PN junr.tion
P型和√型半导体材料之问的结。2.B合金统alloyed junction
把-种或儿种金属熔到半导体品体里而形成的结。2.9 扩散结 diffuscd junctionGB/T 17573—1998
在半导体晶体内由杂质扩散而形成的绪，2. 10 生长緯 gruwn junction在从熔液中生长半导体晶体的过程中产生的结。2.11(PV结的)正间特性forward characteristics(of : PN junction)2.11.正询电流forwardcurrent
从 P 型区流向 N 型区的电流,
2.11.2正向电压forward voltage当 P 型区相对于 N 型区为正电压时,P 型区与 N 型区之间的电压。2.11.3止间forward direction
正向电流的方向。
2.12(PV结的)反向特性reverse characteristics(nl a PN junction2.12.1反间电流reversecurrent从 N 型区流向 P 型区的电流,
2.12.2反询电压revcrse vollage当N 型区相对于P 型区为正电压时,N 型区与 P 型区之间的电压。2.12.3反向reverse directinn
反向电流的方向，
2.13 载流子 charge carrier
半导体中叫移动（自由)的传导电子或可移动的空穴。2.14（半导体区城中的）多数载流子majoritycarrier(ina semicanductorreginn）浓度大于总载流子浓度一半的载流子，2.15（半导体区域中的）少数载流子minorit.y carrier(in a serniconducior region）浓度少于总载流子浓度的一半的载流子。2. 16层laycrs
注：下面涉及的载流子引力或许是出于场效应鼎体管中场板电压引起的，或许是由于表面态，绝绿层中存在的电荷或装面离子载流子引起的
2.16.1表面耗尽层dcpletion laycr associated with surfacc半导体器件的表面区，该区的传导类型与电离施主和变主的净剩间定电荷密度所产生的类型相同，只是由了载流子引力，该区的净剩载流子密度不起以适到中和。2.16.2衣面累积层、增强层Hecumulation layer,enhancement layer associated with a surface半导体器件的表面区，该区的传导类型与电离施主和受主的净剩固定电荷密度所产生的类型相间，并且，由十载流子引力，该区的净剩载流子密度高于中和所需的载流子密度。2. 16. 3衣面反型层 inversion layer associatcd with a surface半导体器件的表面区，由于教流子引力，该区的传导类型已被电离施主和变主的净剩固定电荷密度所产生的传导类型反型。
2. 17（反向偏置 PN结的)击穿breakdon(of a reverse-biased PN junction)当反向电流增人时，发生的由高动态电阻状态向低动态电阻状态突变的现象。2. 18 (半导体 PN 结的)胃穿 avalanche breakdown(of a semiconductor PN junction)在能使一些白由载流子获得足够能量而电离释敢山新的电子-空穴对的强电场作用下，半导体中由载流子的累积倍增所引起的击穿。2.19雪崩电压avalanche voltage产生雪崩击穿时所施加的电压。GB/T 175731998
2.20(半导体PN结的)热穿thermal breakdown(of a seniconductor PN junetion)由于功率耗散增大与结温升高之间的累积交互作用而产生的自由载流了所引起的击穿。往，有此国索也把这一效应称为“热失控”。2.21 (半导体 PN结的)齐纳击穿2ener breakdawn(of a semnicondictor PV junction)在强电场的影响下，由于隧道作用使电子从价带跃迁到导带雨引起的击穿。2.22齐纳电Zener voltage
产生齐纳击穿时所施加的电压。2.23遥道效应tunnel effect
当势垒的觉度足够小时，按照经典力学，裁流子穿过势垒是不可能的，但按照波动力学，其儿率不为零。与载流子相关的波在势垒的前沿几乎全部被反射，但有一小部分越过势垒。2.24(PN结中的)隧道作用tunnel action(in a PN junetinn）出于隧道效应而出现穿过势垒的传导过程在这一过程中,电子可在N区的导带和P区的价带之间的任何一个方间上通过。
注：隧道作用不间于载流子扩散，它只包括电子,并且，实际」遮越时间可以忽略。2.25 霍尔效吃Hall effecr
在导体或半导体中，由垂直于也流度失基的磁场引起的电传导的不均封性。电流密度矢量与电场不平行,而有一爽角。
2.26（半导体的）霍尔系数Hall caefficient(ofa semiconductor）（禁用器尔常数）下式中正比例系数R，
- R(×)
式中。E—所得到的横向电场；
了．电流密度，
B。磁通密度。
注：道常由霍尔系数豹符号可挂断出事数较流子电荷的符号2.27 光电效应 photo-elcctric cffect导致吸收光子并随即产生可移动载流子的辐射和物质之间的相互作用。2.28光生伏特效应photovaltaic effec1产生电动势的一种光电效应。
2.29转移电了效应transferred-electron effect具有多重能盘谷值的化合物半导体器件中，当施加的电场大于电子由较低能量谷值向较高能量谷伍转移的临界值时产生的体负微分电导现象。。较低的能量谷值，该值具有较大的迁移率和较小的有效质量。一较高的能量谷值，该值其有较小的迁书率和较无的有效质量。过：术语\能益谷值”引白能与动至部面关系中的谷值。3通用术语
3.1有关结构的术语
3.1.1（半导体器件的）电极elctrade(of a semiconductor device）完成发射、接收电子成空穴或控制电子或空穴运动的一种或多种动能的基本单元。例：
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这是集成电踏的一部分,在这个例子中,在用粗实线表示的个连接在·-起的V型区中存在著三个电级。
3.1.2圆片wafer
平而阈的薄片,或者是半导体材料,或者是在衬底上旋积半导体材料,在圆片上同时加工出---个或多个电路或器件，随后可将它们分离成芯片。3. 1. 3芯片 chip(die)
为完成器件的一个践多个功能，分离圆片的一部分（或全部）。3. 1.4键合区pad
可以对芯片构成连接的芯片上的那个区域。3.1.5健合金属丝bondingwire
被键合到芯片键合区上的金属丝，以便将芯片连接到器件封装之内的其他点。3.1.6（封装的)引线框架leid frame(of a package）提供引出端和使引出端排列成行构成机械支撑的金属框架3. 1. 7(导体器件的)引 il端terminal(of a semiconductor device)外部可利用的连接点，
3.1.8【封装的)底座base(of a package)在其上可以安装芯片的封装零件。3. 1.9帽、座(底盘)、盖、插头cap+can,lidplug构成空腔封装的外壳零件。
注：使用的特殊术语出封装设汁确定3.1.10封装、管壳（外壳）packagecase为一个或多个半导体芯片、膜元件或其他元件提供电连接并提供机械和环境保护的包封件。3.1.11 热沉(散热器）heat sink(heat dissipator)封装的可分离或巢成的零件，它有利于封装内产生的热量耗散，3.2有关工艺的术语
3.2.1汽相淀积技术vatour-phase depositinn technique利用物理淀积或化学皮成.用呈汽相状源材料淀积到固态衬底上，以形导电的、绝缘的或半导体的膜。
3.2.2丝网印刷技术scrccn-printing technique通过丝网将软膏(油)压印到固态过底上,以形成导电的、绝缘的或半导体的膜。3.3（不包括电流调整二锻管的半导体二极管的）阳极引出端anodelerminal(of ascmiconductordiode ,excluding current-regulator diodes)连接到PN结的P型区的引山端，当凡个PN结以相同的极性申联时，连接到最签的P型区的引出端。
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注：对下电压其准一极管，如果包括温度补偿二极+则不再确定阳极引出端，3.4（不包括电流调二极算的半导体二极管的）阴极引出端cathode tcrminal(of a semiconductordiode .excluding current-regulatur diudes)连接到 PN 结的 N 型区的引出端,当,几个 PN 结以相同的极性串联时,连接到最终的 N 型区的引山端。
注：对于电[基准二被管,如果包括湿度格偿二极管,则不再确定阴极引出端,3.5（电流调整二极管的）阳极出端：anode lerminal(af a t:urrent-regulator diude）将二极管偏置到电流调整的工作状金时，电流从外部电路流人的引出端3.6（电流调整二极管的）阴极孔出端cathodeterminal(ofa current-iegalatordiode）将二被管偏置到电流调整的T作状态时,电流流人外部电路的出端。3.7有关元件和也路的概念
3.7.1电路circuit
提供一个或金个闭合通路的网络。3.7.2电路元件circuit element直接参与电路工作儿执行某种确定功能的任何路组部分。注：迮义包括电路元件之间或电踏元件与引出端之间的斤连于段，B电路参数circuitparameters
与电路元件有关的物理量值或导出的特性值。例：电阻器的电阻值，晶休管的电流放大系数，3.7.4等效电路tquivalent eircuit在所要求的范围内.具有与实际电路或器件电特性等效的电路元件排列。注：在很多有用的应用中，等效电路替获（为了便于分析）更复杂的电路或器件。3.7.5 等效电路元件equivalent rircuil elemen等效电路的元件。
3.7.6膜电路元件filmcircuitelement.膜或多层膜组成的电路元件，
3. B行关有源和无源元件、部件或器件的概念3.8.1 元源电路元件Passive circuit element对电路功能土要提供电阻、电容、电感、欧姆互连、波导或这些组合的电路元件，例：电器、电容器、电感器，无源滤波器，互连。3.8.2有源电路元件activecircuitelement与无源电路元件相比，还提供其他电路功能的电路元件，例如；整流、开关、放人、从，种型式到另种型式的能量转换。
1器性具有有源电路元件的例子有二管、品体管、有源集成电路、光敏或发光器件2有源物埋电路元件也可以邦来只做无源物理电路元件使用，倪如：对电略功能提供电阻和（或）电容。3.8.3（混合集成电路的）无源部件passivccoponent(nfahybridintegraledcircuit）所有电路元件都是无源的部件。3.8.4（混合集成电路的）有源部作active cornponent(of a hybrid integrated circuit）至少一个电路元件楚有源电路元件的部件。3. 8.5无源器件passive device所有电路元件都是无源的器件。3.8.6有源件aclive devire
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至少一个电路元件是有源心路元件的器件，3.8.7寄生电路元件parasitic circuit element不可避免的附属在·个或几个需要的电路元件上的不需要的电路元件。3.9有关部件的概念
componcnt(of a hybrid integrated circuit)3.9.1（混合集成电路的)部件
安装在封装内的和构成电路的重要零作。注：电于部件分为集成部件和分立部件，3.9.2（混合集版电路的）集成部件intcgrated component(of a hyhrid integrated circuit）用作电路部件的完工或部分完工的集成电路。3.9.3（混合集成电路的）分立部件digcreie tnmpnnent(of：hybridintegrated cireuit）用作器件部件的完工或部分完工的分立器件，3.9.4（混合集成电路的）部分完工部件partiallycompletedcomponent（ofahybrid in1.egratedcircuit)
取自部件生产线未完1的部件。
注：不能用它来全面评价正常完工状态的规范可用性。3.9.5（混合集成电路的）部分完工集成心路Partiallycompletedintegrated circuit(ol ahybridintegrated circuit)
取自集成电路生产线未完工的集城电路。注不能用它束全而评价正带完工状态的规范用用性。4器件类型
4. 1半导体器件serricoidurtur device4.1.1导体器件（通用术语）scmiconductordevice(generalierm）基本特件起四于载流了在半导体内流动的一-种器件，1定义的基本特件只是部分地起因于获跳于在半导体内流动但从规范考虑仍认为是器件。2为便下规范便用，将半导体器件分为分立（半导体）器件或类成电路：4. 1.2分立(半导体)器件discrete(semiconductor)device完成规定基本电功能的半导体器件.而且本身再不能分为若于功能部件。注
在分立器件和集成电路之间没有清楚的划界可能性，原则上，分文器件仅由单个电路元付组成，然而，当规定作1
为分立器件销售时,器件内部可出,几个电路元件组或。2如果不把半导体器件认作是既复架又具为功能的巢成电路时,就把它认作是分立器件。4.2静电放电敏感器件electrostatic-discharge-senkitivedevice由于常规操作、运输和试验中遇到的静电势而可能造成永久性拥坏的分立器作或集成电路。使用的缩写是：
ESDS静电效电缴感器件；
--ESD静电放电。
禁止使带缩写 ESSD.
4.3半导体二极管、二级管
semiconductor liode,diode
具有不对称电流·电压特性的两个引出端的半导体器件。注：除非有规定，这一术语适常是最指具有典型的单1'N结电流-电特性的器件，4.4半导体整流二极管,整流二极管setniconductor rectifier diode,rectifier diode管。
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用作流的并包括其附带安装和冷却用配件（如果这些配件与二极管是一个整体）的半导体二被4.5半导体整流堆（组件）semicunductorrectifierstack由一个或几个带有附带安装、冷却用配件（如果有的话，不性是电连接还是机械连接）的整流二极管所组成的单一结构。
4.6雪崩整流二板管
avalanche rectifier diade
规定最低击穿电压特性，并在反向特性击穿区域中，在限定时间的情况下，限涟耗散功率浪涌的整流二板臂。
4.7控雪崩整流二极管cantrolled-avalancherectifierdiode规定最高和最低击穿电压特性，并限定在反向特性击穿区域中稳态条件下工作的整流二极管。4.8信号二极管 signal diodc
用来提取或处理包含在随时问变化的电信号（模拟信号或数字信号）中的信息的二极管。4.9阶跃（阶联恢复）二极管snap-off(stepTecovery)diode在正向偏置下贮存电荷，紧接若在反向偏置下以突变（阶跃方式恢复，从而使端阻抗发生突变的种二极管。
4.10电斥基准二板管volteage-referenccdiode在规定的电流范内偏置工作时，在两引出端上达到规定精度的基准电压的一种二极管。4-11电压调整二极管voltage-regulator diode在规定的电流范围内，在两个引出端上达到基本恒定电压的一种二极管。4.12电流调整二极管current-regulalordiode在规定的电压范围内·将电流限制在基本恒定值的一种二极管。4.13微波开关二极管microwave switchingliode依据所施加的直流偏置电压或电流，呈现山从高阻抗状态到低阻抗状态快速转换（反之亦然），从而在微波频率下分别呈现能使微波信号通过或阻断的高阻抗或低阻抗的二极管。4.14微波限幅二极管microwave limitingdiadle依据供给的射题功率电平，呈现出从高阻抗状态到低阻抗状态快速转换（反之亦然），从而在微波频率下分别呈现能限制或抑制不需要的微波能量的高阻抗或低阻抗的一种半导体极管。4.15变容二极管variahle-capacitanccdiode在反向偏置下端电容按确定方式随偏玉变化，并且专门利用这种电容·电压特性的-种半导体二极管。
4.15.1电调变容-极管tuningvariable-apacitancediodc电容-电压特性特别适合于调谐高Q谐振电路，并目通带申联谐振频率和截止频举都远高于使用频率的一种变容二极管。
4.15.2谐波发生变容二极管harmonicgenerationvariable-capacitancediode借助于非线性电容-电压特性作倍频器用的一种变穿二极管。其电压幅度可增大到止向。4.15.3参量放大变容一极parametricanplifiervarjable capacitancediode由自身功率激励而产生的并在抵噪声参垦放大器中用作小信号放大的负阻变容二极管。4.15.4t:变频变容二极管freguencyup-convertorvariable-capacitancediadle出白身功率激励并用作上变频幕的一种具有非线性电容-电压特性的变容二极管。4.16雪崩渡越时间二极管avalanchetransit-timediode在微波率下，由于雪崩借增和渡越时间效应的共同效果而呈现负阻的·种二极管。4.16.1IMPATT：极管（IMPATT模式雪崩渡越时间二极管）IMPATTdiodeavalanchetransittime diode in the IMPATT mode)GB/T 17573—1998
当其结偏置到出现雪崩时，在由载流子以极限地和速度穿过耗尽区的迹越时间所确定的频率范围内呈现负阻的一种半导体微波二极管。注：“1MPATT\是睡撞雪崩和遗越时间的写，4.16.2TRAPATT二极管（TRAPATT模式雪崩镀越时间二极管）TRAPATTdiode（avaianchetransit-time diode in the TRAPATT tmode)当其结偏置到出现弯崩时，由于三极管与多请微波谐振腔之间的相互作用，导致被俘获的电子-空穴等离子体产生或消失，从而在比渡越时间额率范围低的频率上现负阻的一种导体微波二极管，1“TRAPATT\是获等离子体雪崩渡越时问的缩写2“二极管的遗越时间频率范用“是山懿流子以极限饱和速度穿过二龄背耗尽区的迹磁时间所确定的题啦范围4. 17隧道二极管
Ftunel dicde
具有因出现障道作用面在正向电流电压特性的桌一范围内产生负微分电导的PV结的一种二极。
单道二被管（反向二极管）unitunneldiode（backwarddiode）4.18
峰点也流和谷点电流近似相等的一种隧遵二极管4.19光电导管photoconductivecel利用光导效应的器件，
4.20光生伏特性电池photovoltaiccell利用光生伏特效应的器件。
4.21光敏二极管photodindc
利用光电效应的极管。
4.22光敏晶体管phototransiston利用光电效成的晶体管
4.23闸流晶体臂（晶体闸流管）thyristor包括三个或更多个结的能从断态转换到通态(反之亦然>的双稳态半导体器件。注
1把\闸流晶体管”一谢作为所有PNPN类型开关管的泛称术语如果不引起混滞或误解,可单独使用这一术语求表示属于而流品体管类的任何一种器件。特别是已普避地把这一缩写术语“闻流晶体管”用来表示反向阻断三极闸流晶体臂（过去称为“可挖半导体整疯器)。2只有三层结构的但具有类似于四层结构闸流晶体性开关特性的器件也可以叫作闸流晶体管。4.24晶体管transistor
能起功率放大作用并具有三个或更多个电极的半导休器件，注：描述本定义包括的某些特殊类型的半导体器件可使用其他名称4.25场效应晶体管field-effecttransistor在栅极引端和源引出端之间加上电压而产生电场，由该电场挖制通过导电道的电流的一种靠体管。
selenium transient avervoltage suppresso4.26硒瞬态过电压抑制器
利用研片的体断电流-电压特性的斜率陡峭部分来限制瞬态过电压的器件。注：酒片由两个金属电极(造片和反电极)以及夹在它们之问的多品半导体酒层组成,甚硒谢态过电压抑制路的基本部作。
抑制器分两种：
a）极性的：
具有不对称电流-电压特性的窃瞬态过电压抑制器，5）非极性的：
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