本空白详细规范规定了制定高频放大管壳额定双极型晶体管详细规范的基本原则，制定该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。 GB/T 7576-1998 半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管 第四篇 高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范 GB/T7576-1998 标准下载解压密码：www.bzxz.net

GB/T 7576—1998
本空白规范等同采用1991年发们的IEC747-7-4《高频放大管壳额定的双极型品体管空白详细规范》第一版：由于该规范较原国家标准更能表征该种器件的特性，因此+对原国家标准GB/T7576-1987 做了修订使之与国际标谁致。本规范与前版的主要差别是增加了含有害物质的说明及发射极-基极反向截止也流；调整了引用总规范及分规范的标准号+删去B9分纽高温贮存。除非另有规定本标准第8章中引用的条号对应于GB/T4589.1-1989《半导体器件分立器件和
集成电路总规范（1EC717-10：1991)的条号，测试方法引自GB/T4587—1994《半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型品体》（IEC747-7:1988),试验方法引自GB/T49371995(半导体器件机械和气候试验方法》(IEC:749：1984)。本规范山中华人民共和国电子工业部提出。本规范由全国半导体器件标准化技术委员会归It。本规范起草单位：电子工业部标准化研究所。本规范主要起草人：蔡仁明。
GB/T 7576-1998
IEC前言
1）IEC(国际电工委员会)在技术问题上的正式决议或协议，是由对这些问题特别关切的国家委员会参加的技术委员会制定的对所涉及的问题尽可能地代表了国际上的一致意见。2）这些决议或协议，以推荐标准的形式供国际上使用，并在此意义上为各国家委员会所认可。3）为了促进盟际间的统：，IEC希望各国家委员会在本国条件许可的情况下，采用IEC标准的文本作为其国家标准，EC标推与相应国家标准之间的差异，应尽可能在国家标推中指明。本标准山 IF()第 47技术委员会(半导体器件)制定。本标准是高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范。本标准文本以下列文本为依据：6 个月法
47(CO)984
表决报告
47(C0)1078
表决批准本标准的详细资料可在上表所列的表决报告中查阅。本标准封而上的QC.号为国际电T委员会电子元器件质量评定体系(IECQ)的规范号。本标准引用的其他IEC 标准：
基本环境试验程序，第2部分：试验试验Q：密封IEC 68-2-17:1978
半导体器件的机械标准化第2部分：尺寸（在修订中）IEC 191-2+1966
IEC7471:1983半导体器件分立器件和集成电路第1部分：总则IEC 747-7:1988
IEC74710:1991
I:C 747-11:1985
半导休器件分立器件和集成电路第7部分，双极型品体管半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范半导体器件第11部分：分立器件分规范IFC:749:1984半导体器件机械和气候试验方法引言
中华人民共和国国家标准
半导体器件分立器件
第7部分：双极型晶体管
第四篇高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范
Semiconductor dertces-Dscrete devicesPart 7: Bipolar transistors
Scction Four Blank detail specificution for case-ratedbipolar transistors for high-frequency ampliricationGR/T 7576-1998
idt IEC 747-7-4:1991
OC750107
花蓉G3/T7576—[987
本空白详细规范规定了制定高频放大管壳额定双极型晶体管详细规范的基本原则，制定该范围内的所有详细规范应与本空白详细现范一致。本空出详细规范是与GB/T4589.11989《半导体器件分立器件和集成电路总规范》和GB/T12560—199h半导体器件分立幕件分规范》（IEC747-11：1985）有关的—系列空白详细规范小的个。
要求资料
下列所要求的各项内容，应列入规定的相应空偿中。详细规范的识别：
(1）授权发布详细规范的国家标准机构名称，（2）IECQ详细规范号。
（3）总规范号和分现范号以及年代号。（4)详细规范号、发布日期和国家体系要求的任何更多的资料。器件的识别：
（5）件型号
（6）典型结构和应用资料。如果设计~种器件满足若干应用，则应在详细规范中指出。这些应用的特性、极限值利检验要求均应子以满足。如果器件对静电敏感或含有害物质，例如氧化，则应在详细规范中附加注意事项，
(7）外形图和（或)引用有关的外形标准，（8）质量评定类别。
（9）能在各器件独号之间比较的最重要特性的参考数据【在方括号内给出的内容供指导规范制定者使用，而不包括在详细规范内」【整个空凸详细规范中，当特能或额定值适用时，“×”表示在详细规范应填入的值。国家质量技术监督局 1998-11-17 批准1999 0601实施
发布详纠规滤的国家标准
机构名称
评定电子器件质量的根据，
GB/T 7576
G13/门4589.1—1989半导休器件分立器件和集成电路总规范
GB/T12560—1990半导体器件
详卵规范：
[有关器件的型号]
订货资料：见本规范第7章
机械说明
分立器件分规
外形标准：根据GB/T7581—1987*半导体分立器件外形尺寸》
外形图：
_川布本规范的第10章给出详细外形图引出端识别：
［引出端排列图包括图示符号]
标芯：字母、图形符凸或色码
[如果而能,详细规范应规定在器件上需标志的容
[见GB/T 4589.1 --1989 的2.5和(或)本规范的第6章」
如果采用特殊方法、需标明极性二1998
[IFCQ 详细规范,版本弓和
(或)日期］
［国家详细规范号]
[如果详细规范号与IECQ号重复，则本栏可以不填]
简略说明
高频放大管壳额定的双极型
晶体管_NPN/PNPJ
半导体材料;硅
封装：【空腔或非空腔】
质量评定类别
「根据GB/T 4589.1—1989的 2,6]考数据
按本详细规范鉴定合格的器件制造厂有效资料，见现行合格产品一览表。[6]
4被限值(绝对量大髋定值）
GB/T 7576 -- 1998
除非另有规定，这些极限值在整个工作温度逆围内适用。[只重复使用带有标题的条号。任何附加值应在适当的地方给出，但不编条号。］[最好在本规范的第 10 章给出曲线。]条号！
管壳温度
贮存温度
应规定下列的一个或一个以上的电压：最高集电极 基极(直流)也压
在规定的反向基极电压下的最高集电披-发射极（直流）电压
在基极-发射极短路下的最高集电极-发射极(直流)电用最高集电极-发射极(直流)电压和(或）：在规定的外接电阻Ru:下的最高集电极-发射极（直流）电压
最高发射极-基极(直流）反向电压最大集电极电流（直流改平均电流值）或：
最大发射极电流（直流或平均电流值）最大重复峰值集电极电流
最大重复发射极电流
最大基极电流（直流或均值）
耗散功率：
与温度有关的最大总耗散功率
最高有效(等效)结温
和耗散动率的绝对极限值
适用时：安全工作区(例如,Ic对Vce的曲线）,直流或(适用时脉
适用时:规定条件下失谐的持续时间符号
最小值
Is5电特性
捡验要求见本规范的第8章。
GB/T 7576—1998
[只重复使用有标题的条号，低何附如特性应在适当的地方给出但不编条号。］当在同一详细规范中规定了几种器件时，相关的值应以连续方式给出，以避免相同值的重复。［最好在本规范的第10章给出曲线，]特性和条件
除非另有规定，T=25℃
（见GB/T4589.1—1989的第4章）5.1
在规定Vce和Ic（或Vc和Ig）时，Ⅱ最好在典型工作电流下（直流或脉冲按规定》的共发射极止向电流传输比的静态值
适用时：在规定的低电压Vcr利大电流Te下的共发射极正向电流传输比的最小静态值（直流或脉冲，按规定）在规定的电压Vc、电流 Ic和频率f下的最低特征频率和(适用时)最高特征频率
在规定的电压Vcs、电流Ic.和赖率f以及规定的负载阻抗（最好为500)下的最小正向传输系数和(适用时)最大止向传输系数
截止电流：
最好是：
hsE(2)
fenucn
在发射极开路时,且最好在最高额定值Vcu;下的最大集电极-基极截止电流
在规定的基极-发射极偏置条件下,且最好在最高额定值VCEx下的最大集也极·发射极截止心流5.4.2适用时：
在规定的基极-发射极电阻时,且最好在最高额定值VCER下的最大集巢电极发射极敲止电流5. 4. 3适用时：
在基极-发射极短路时.且最好在最高额定值VcEs下的最大集电被-发射极截止:电流
5. 4. 4 适用时:
在基被开路时：且最好在最商额定值Vra下的最人集电极-发射极戴止电流
5.4.5适用时：
在集电极开路时，且最好在最高额定值 Vc下的最大发射极-基极截止电流
Ferxani
最小值最太值
..comx
GB/T 7576:1998
表(续)
特性和条件
除非另有规定,T—25 C
（见GB/T4589.1—1989的第4章）高温下的截止电流
适用时,至少应规定下列其中个或个以上的截止电流
（温度应从GB/T17573—1998非导体器件分立器件和集成电璐第1部分：总则的优选值中选取）5. 5. 1
最好是：
巢也极·基极戴止电流
高温下,Ir=U,Vcn最好在最高额定值 Vcu的 65%与85%之间
在规定的基极-发射极偏置条件下,高温时,Vc最好在Irex(2
最高额定值VrEx的65%与85%之间时的集电极-发射极截止电流
5.5.2适用时：
高温下，在规定的基极-发射极也附下VcE最好在最高额定值 Vcer的 65为与 85%之间时的集电极-发射极最大截止电流
5.5.3适用时；
高温时，在规定的基极-发射极短路条件下.Vc最好在最高额定值Vcm的65%与85%之间时的集电极-发射极最大截止电流
在规定的1和大的I：下的最高集电极·发射极饱和电压(流或脉冲，按规定)
在规定的输入功淞,高频和一个较低颊率（适用)下输出判负载的最低输出功率(最好在电路和偏胃都相同的规定条件下）
最好在与Pu相同测试条件下的最低功率增益适用时：最好是最低总效率一
或最低集电极效率—
（与5. 71P同的测试条件下）
5.9.1在规定Va-F和=D下的输出电容Its(2)
最小值
最大值
GB/T7576-1998
表（完）
特性和条件
除非另有规定,Ta=25 ℃
（见GB/T4589.11989的第1章）
5.9.2！适用时：在规定的Vce+f和Ic=0下的最人输入电容5.9.3适用时：在规定的Ve，了和Ic=0下的最大反向输人电容5.10
适用时：
互调系数或其他线性数据
当有效结温为额定值时应给出最大的结到壳的热阻值适用时：
最大瞬态热阻抗曲线
1) u- P+Pides
6标志
ne—Padot
Rabai c
最小值；最大值
[除表（7)栏<第1章）和（或)GB/T4589.1—1989的2.5所给出的内容外，其他特定资料应在本章规定。
7订货资料
[除非另有规定.订购一种具体器件至少需要以下资料：-推确的型凸(需要时,给出标称电压值)；当有关时，详细规范的IECQ发布号和（或)日期；~质量评定类别按GB12560—1990的3.7规定。如果要求，筛选顺序按GB/T12560—1990的3.6的规定；
其他细节。1
8试验条件和检验要求
[试验条件和检验要求在下表中给出,其中所用数值和确切的试验条件.应按给定型号的要求和有关标准中相关测试的要求规定。［编制详细规范时，应在替换试验或试验方法中做出选择。]当企同一详细规范中包括几种器件时，相关的条件和（或）数值应以连续的方式给出，以尽可能避免相问条作和(或)数值的再复.」除非另有规定，本章中引用的条号对应于GB/T4589.1一1989的条号，测试方法引自GB/45871994&半导体分立器件和集成电路第7部分双极型品体管试验方法引自GIB/T4937—1995&半导体器件机械和气候试验方法》及GB/T2423.23—1995%电工电子产品环境试验试验Q：密过》。
[抽样要求，接照适用的质评定类别,参照或再述GB/T12560—1990的3.7的数值。][对于A组·在详细规范中应选择AQI.或1TPI)方案。]全部试验都是非破坏性的（3.6.6)检验规试验
A1分组
外部目验
A2 分组
不能工作器件
A2h 分组
裁止电流至少应规
定下列其中一十;
集电摄-基极截止电
集电圾-发射极截正
适用时：
集电极-发射破截止
发射梭-基板截止电
适用时：
集电极-发射极截止
适用时：
集电极-发射极截止
inwyrt
Iceuct
GB/T 7576- 1998
表1A组逐批
引用标准
除非另有规定，
T = 25 ℃
( GR/ 4589.11989
的第4)
4. 2. 1, 1
同A2h
GB/T 4587--1994
GB/T 4587 -1994
GB/T 4587--1991
GB/T 4587--1994
GB/T 4587- -1991
GB/T 4587- 1994
最好 V=[Vcrous]
最好 Ver=[Vcrxam,]
Vk—L魏定的×
最好 Ver—[Vlm]
R =「规定的
最好在Vrg—VrHO2a%
最好 Ve-[tiSmx ]
最好 VeE-[Vewomax ]
检验费求做限
最小倘
最大俯
除另有规定
短路、即：
截止电流A2b所
示截止电流的 100
开路，即hmEr!5
检验或试验
共发射极正向电流
传输比的静态值
输出功率或
功率增益
适用时
43分组
适用时：
美电极-发射极饱和
适用附：
共发射极正向电流
传输比的静态值
GB/T 7576—1998
表1(完）
引用标准
除非另有规定，
T- 25 C
(见(GR/T 4589.1—1989
的第4章）
GB/T 4587—1994
按详细规范规定
GB/T 4587- 1994
N.4.1:4.2
GB/1 4587 1994
Vce(VcB)=[规定值]
Ie(In】［规定值二
（最好典型值）
［直流或腺冲，按规
按规定的电路和条件
【见本规范5.7】
Ic=L.大的电流规定值
I_规定值］
[直流或脉冲; 按规
Ver:一二低的规定值！
I=大的规定值
E直流或脉冲,按规
检验要求极限
2）见本规范第5章的有关条件。如果用脉冲测试，条件最好是：脉冲宽度=300必，占空因数2%。最大值
GB/T 7576 1998
表2B组
(对于1类,见 GB/T 4589.1—1989的 2.6)LST→规范的下限值
标有（D)的试验是破坏性试验（3.6.6)。检验或试
B1分组
B3分组
引出端强度
适用时：
引线弯曲(D）
B4分组
叮焊性
B5分组
快速温度变化
继之以：
a）(对非空腔器件）
循环湿热(D)
最后測试：
截止电流\
正向电流传箱比
b）（对空腔器件)密
B8分组
电耐久性(168h)
最后测试：
截止电
正向电流传输比
CRRL分组
引用标准
G3,I 4937—1995
GB/T4937-—1995
(B/T 4937—1995
CB/T 4937 1995
GB/T 4937—1995
GB/T 2423,23
GB/T 45871504
凝供B3,B4,E5利1B8的计数检查结果3）根据A26分组规定一个截止电流，最好为Icao：USL=规范的上限值
除非另有规定+
Tenn = 25 C
（见GB/T4589.1—1989
的第4章）
为—[见GB/T 49371995
的1,1.2规定慎了
「按规定]
L按规定-
试验 Db+方式2
严醋度55℃.
循环欧数一
按A2b
按A2b
7. 3或 7. 4
Q试验
高溢反偏
或工作寿命
「按规」
按A2b
按A2h
根据A组
检验要求极限
最小值
最大值
见本规范第1章
无损伤
润湿良好
4）对于间工作的基些型号晶体管.耐久性试验（仅对工作寿命）可以减至48h.I.一S-3.AQL一1.5标有（D)的试验是破坏性试验（3.6.6）。检验或试验
C1分组
C2a 分组
共基极输出电容
适用时：
输人电容”
和(或)：
共发射极反向传输
C2h分组
高温下的截止电流：
巢电极-基极截止电
集电极-发射极截止
适用时：
集电极-发射极截止
Ichuea)
GB/T 7576—1998
表 3 C组—
引用标
LSL=规范的下限值
USL =规范的上限值
除非另有规定，
Tro — 25 Y
(见GB/T 4589.1—1985
的第4章）
附录Ｒ
Vc一［规定值（最好！
GB/T 45871994
GB/T 4587—1994
GB/T 45871994
GB/T 45871594
fc-0.F-1MHz
VBB-[规定值
f:=0.最好f=IMHz
V=[规定值「免费标准bzxz.net
1e:-0,最好 f=IMH2
T-「规定的高温二和
Van[最好在
Vcr0m,的 63%与 85%
GB/T 4587—1994
V最好在
Vixx-的 65%与 85 %
之间］
V丽=规楚的×
GB/T 45871994
5接C22b相同的方法，同时将集电极和发射极引线到置。Vrr -[好布
Veumu的 65%与 85%
之间”
Ver-「规定的R_
根据A组
粒验要求极限
最小值
晟大值
见本规范第1辜
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