GB/T 12565-1990
基本信息
标准号： GB/T 12565-1990
中文名称：半导体器件 光电子器件分规范(可供认证用)
标准类别：国家标准(GB)
标准状态：现行
发布日期：1990-01-02
实施日期：1991-10-01
出版语种：简体中文
下载格式：.rar.pdf
下载大小：355607
标准分类号
标准ICS号：电子学>>31.260光电子学、激光设备
中标分类号：电子元器件与信息技术>>光电子器件>>L50光电子器件组合
关联标准
出版信息
页数：12页
标准价格：12.0 元
相关单位信息
首发日期：1990-12-12
复审日期：2004-10-14
起草单位：电子标准化所
归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会
发布部门：信息产业部（电子）
主管部门：信息产业部（电子）
标准简介
半导体光发射器件半导体光敏器件半导体图像器件光耦合器。 GB/T 12565-1990 半导体器件 光电子器件分规范(可供认证用) GB/T12565-1990 标准下载解压密码：www.bzxz.net
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标准内容
1范围
中华人民共和国国家标准
半导体品
光电子器件分规范
Semiconductor devices
Sertional specificatinn for nptnelectronic devices(可供认证用）
1.1半导体光发射器件
、光电子显示器件；
发光二极管(LED);
红外发射一极管(IRED)；
撤光二极管。
1.2半导体光敏器件
光敏二极管：
光敏二极管；
光控闸流晶体管。
1.3半导体图像器件。
1.4光耦合器。
2总则
GB12565—90
不规范应与其有美的总规范一起使用：本规范规楚广评定平导体光电子器件所能的质量评定程序，检验要求、筛选顺序、抽样要求、试验和测试方法的细节。2.1有关文件
GB4589.1(1EC74710/QC700000)&半导体器件分立器件和集成电路总规范2.2温度的推荐值（优选值）
见IEC747-1半导体器件分立器件和集成电路第一部分总则》第6.5条。2.3电压和电流的推荐值（优选值）见 IEC 747-1 第 6.6 条。
3质量评定程序
3.1初始的制造阶段和转包
初始的制造阶段为下述之一：
单品半导体器件
变纯P型或纯N型单晶半导体材料的第一道工序：b．多晶半导体件
国家技术监播局1990-12-12批准1991-10-01实施
在衬底上淀积多品层。
3.2结构相似器件
GB 12565--90
器件型号按结构相似分组的关键依据是组内各种型号间的差别不影响试验结果。对本文件乘说：
结构相似器件是指由同一制造单位来用基本相同的设计和相同的材料，工序和方法制造的器件，通常仅因为制造上的变化使得它们被分为具有不同电特性,光特性或辐射特性的各种型号。为了获得鉴定批谁和质量一致性检验所用的样品，半导体光电了器件可以按下述规则分组。附录A(扑充件)的图解释了这些规则的应用。3. 2. A组和(或)B组中电和光特性测试的分组具有相同的器件设计、在同一生产线上制造的而差别仅在按电和光特性极限值避行分类的器件，应根据这些不同的电和光特性极限值（被分成各种型号）分为不同型号的子批。上述器件最好应包含在同一详细规范中，但是在任何情况下都应在签定批准试验报告中说明所采用的分组细节。
3.2.1. 1不同的电和光特性极限值对于那些适用下各子批的不同的电和光特性极限值的具体测试，每个子批应抽取与各子批器件数相应的样品量。
上述具体测或的实例为：
。光敏器件按不同的光敏灵敏度分放各个子批；h。光耦合器接不同的输入传输比分成各个子批；C。发光器件按不同的发光或辐射强度分成各个子批。3.2.1.2相同的电和光特性极限值对于那些适用于所有子批的相同的出或光特性极限值和测试条件的只体测试，用下述之·种测试评定总批：
目，由所有子批的相等的或成比例的数量组戒的一组样品；b、从总批中随机抽取的一组样品。3-2.2B组和(或)C组中环境试验的分组用相同方法封装的、其有相同内部机械结构基本型式，由相同零部件制成的、并经共同的密封和涂覆程序的器件，按下述可以认为是结构相似的。按规定抽取的一组样品可以评定该相似器件的总批。狂：“相同零部件\系指按相同图纸或相同规范白的或购得的合格零部件。3.2.2.1相同生产线制成的器件
上述分组能适用的试验有：
目检：
尺寸；
焊接：可焊性和耐焊接热；
引出端强度：
腐蚀（例如稳态湿热）；
阖度变化和湿热循环（或密封）振动：
恒定加速度；
冲山。
注：(）“相同生严线\系指具有等效的设备，相同的！艺规程控制图或规范，使用相同零部件和材料，设暨在同一}区并能生产相同器件的生产线，(②) 这些器件是指在相同生产线上制造的,并用相同零部件制成的管充封装的。3.2.2.2不同生产线制成的器件
上述分组能适用的试验限于：
自目检；
b尺寸;
焊接：可焊性和耐焊接热；
d.引出端强度;
e腐蚀(例如稳态湿热）
3.2.3耐久性试验的分组
GB 12565—90
除在详细规范另有规范外，对于耐久性试验（例如电耐久性试验或「热试验)雨言，具有相同的器件设计、在村同生产线上制造的而差别仅在按电或光特性极限值进行分类的器件，应根据这些不同的电或光待性极限值分为各种型号的子批。根据第3.2.3.1或3.2.3.2条的规定，这些子批之--中的器件可用作电耐久性试验。
上述器件最好应包含在向一详细规范中，似是在任何情况下都应在鉴定批准试验报告中说明所采用的分组的细节。
3.2.3.1在B组(逐批)中规定试验时对于每种耐久性试验，倘若从下述规定的任一子批中抽取一组样品.则可以评定总批：。被选子批的器件总数向其有较低额定值或不太严格的特性极限值的所有其他子批的器件总数之和、不少于所有子批总批量的60%，h、在生产过程中的前三个月内，应对总批中在该周期内提交检验过的、具有最高额定值或最严格的电或光特性极限值的子批抽取适当的样品量进行电耐久性试验。3.2.3.2仅在C组(周期)中规试验时对于每种周期性耐久性试验，按照详细规范规定的样品量抽取的一组样品可评定总批，样品最好从器件数量最多的子批中抽取，面且应保证在较长的期限内适当轮换其他型号。3.3鉴定批准的检验要求
应与本标准表 5和表 6 规定的独样要求一起,正常地采用 QC 001 002(程库规则》第 11. 3. 1 条的方法b)。
但是，如果采用有关的空白详细规范规定的样要求,则允许采用 QC 001 002第11. 3. 1条的方法a)，
3.4质量一致性检验
3.4.1组和分纠的划分
应接下列各表划分组和分组：
表1 A组一
A2b,A3.A4
检验或试验
外部目检
不工作wwW.bzxz.Net
电和光特性
引用标准
GB 4589. 7, 4. 2. 1. 1
有关标准
按规定
按适用方法的规定
检验或试验
尺（互换性）
电和光特性
《设计参数）
其他电和光特性
电和光极限
值的验证
引出鞘强度
可嫣性
度快速变化
继之以：
凝热循坏
温度变化”
恒定加速度
电耐久性
离湿贮存
放行批证明记录
GB 12565
表2B组
（关于 I类,见 GB 4589. 1第2. 6 条）引用标准
按详细规范所给的外形图(也可见附录B)行关标准
有关标准
有关标准
GB 493713,2. 1
GH 4937,2. 2. 1
GH 4937,3. 1
SJ/Z 9016,4*)
(IEC 749, ,1)
GB 4937,R. 7
SI/Z 9001-45)
(IFC: 68-2-14 /)
GH 4937.2. G
有关标糖
GB 4937.3. 2
1适朋时，按规定
适归时,按规定;例如高温测量
适用时,接规定
按规定：例如引线弯曲
！按规定
按规定，取决于封装
按规定(检查问歇失效）
按规定，取决于封装
（如果空匀详细规范要求时）
不适用
按规定方法，168h
在高温贮存温度下 168 h
按空白详细规范中规定的计数数据注：1半导体分立器件机械和气模试监方法。2）不适用于超小型器件。
3）半导体器件机撼和气候试验方法》。4）仅适用干光耦合材料与芯片表面或内连引线点接接触的节麗纤器件。5）基本环境试验程字》试验N1温度的变化。分组
检验或试
电和光特性
(设计参教）
其他电和光
电和光极眼值的验证
结到管壳的热阻
引出端强度
耐焊接热
温度快速变化
继之以
湿热循环
机械冲击
继之歇：
恒定加速度
稳态湿热
凝趋循环
电耐久性
等效的加迷
应力试验
高温贮存
低气压
标志的耐久性
放行推证明记录
注：J）不适用于超小型器件，
GB12565--90
表3 C组
-周期
引用标准
有关标准
有关标难
有关标难
有关标准
GB 4937,2. 1
GR 4937,2. 2. 2
GB 4937,3. 1
SJ/Z 9016,4
GB 4937,3. 7
GB 4937,2. -1
GB 4937,2. 3
GB 4937, 2. 6
GB 4937.3. 5
SJ/2 9016,4
有关标准
GB 4937,3 2
CB 4937,3. 3
GB 4937,4. 2
按详细规范所给的图(也可见附录 B)按规定
按规定;例如在极限温度下测量
接规定
「按规定
按规定，例如拉力或转矩\
按规定
按规定，取决于封装
按规定,取快于封装
(如果空白详细规范要求时）
按规定.取决于封装
按规定的条件,1000 h
在最高贮存温度下1000h
在本组或 P 组中规定
按规定
按空白详细规范规定的计数数据3. 5D组试验
GB 12565—90
仅适用于鉴定批准。当要求时，应在空白详细规范中规定。3.6筛选
在详细规范或订货单中规定筛选时，则应按表4对生产批中的全部器件进行筛选。通常筛选在 A 组,B 组利 C 组检验之前进行。 当在符合 A 组和 B 组逐批检验及 C 组,周期检验的要求之后进行筛选时，则应重新进行可焊性、密封和A组检验。按详细规范的规定，可以要求增加筛选后的试验。筛选顺序应按表4。
活：表1正在考虑中。
3.7抽样要求
表1A组检验抽样要求
三端战多
端器件
一器件
三张或多
黏器件
二溺器件
注：1）AQL值用于每个分组中不合格器件的总数。TE
2) 如果 A 组检验选择 LTPD,那么只允许 A2 分组果用 AQL。3）批允许不合格品率的龄大合格判定数为4,S4
心. 4们
4）如果用100%的检验证明某批中不合格器件的数量少于 0.1%,则不要求对该批再进行本分组中光电参数的抽样检验。
GB12565-90
表5B 组和 C 组检验抽样要求(应采用 LTPD)LTPDI
1类和类
注：1）批允许不合格品率的最大合格判定数为4。试验和测试方法
见附录D(参考件)
筛选等级
GE12565-—90
附录Ａ
结构相似性
（补充件）
下面的示意图给出了生产中如何应用结构相似性的图例。3.2.2.13.2.2.13.2.2.2
生产线
光敏晶体管
(如:Si,NPN)
生产线
用相同冬
光敏晶体管
(如:Si,PNP)
生产线
光耦合器
部件龄成
的封装
对民检，
尺寸，
可焊性和耐
接热，
引出端度
对温度循环
+醒热或密封，
振动，
恒定加速度，
冲击抽样
按不同的光
和（或)电特
性分减子批
按不同的光
和(或）电特
性分成子批
按不同的光
和（或)电特
性分贼子批
例姆：
电流传输
比或灵敏度
或其他蚕数
每--子批对其
特有的电和（或）
光特性极限值
条件样
光敏晶体管和光耦合器的结构相似性图例图AI
每批对耐久
每批对相同
的电和或》性试独样
光特性极限
值或条件抽
B1封装外形尺寸
GB12565—90
附录B
（补充件）
本附录列出了B组和 C组应该检验的尺寸,并采用 GB 7581--87《半导体分立器件外形尺寸\中标准化了的字母代表相应的尺寸。器件外形(IEC)
(1】单端引线安装
例如：具有底座BAA的 C4(TOS)
(2）带有接线片的螺栓安装
例如：A4U(D05)或AI4U(T065)
（3）扇平底座安装
例如：具有底座B18的C14A(T03)B组
01,U2.g.A
全部“
注：1）详细规范中引用IEC191-2的外形图或按1EC191-1规定绘制的外形图中，除组已包括之外的全部尺寸。B2光学方面的有关尺寸
适用处，应在详细规范中给出光学方面的有关尺寸和在哪-组中检验附录C
机械试验加力的方向
（补充件）
对于施加的外力与器件取向有关的试验方法，其取向和所施加的方向应符合GB4589.1附录C的图4和图5或下面的图C1和图C2。Yuy
基面（如果适用）
（如果适用）
圆柱形器件对加力方向的取向
GE12565—90
图C2为和有关详细规范共同规定的其他封装形式。Y
图C2其他封装形式
附录D
试验和测试方法
(参考件）
引用有关试验和测试方法如下表所示；当详细规范要求并按下列规定时（见GB4589.1第4.3条），则应使用这些方法。
引用代号
注：1)正在专意。
ton s tar
发光一极管和红外发光二极管的一般测试方法名称
发光强度
辐射强度
峰值发射波长
光辐射带宽，频谱辐射带宽
辐射图、半强度箱
角偏差
开关时间
正向电
反向电流
总电容
光通量
辐射功率
正向电流
截止频率
引用标准
IFC 747-5+N ,1.1
IEC 747-5, IN , 1. 2
TEC 747-5, W,1. 4
TC 47(Sec)885
TC47(Scc3898
TC 47(Sec)897
IEC 747-3. N ,1. 2
IFC: 747-3, W1. 1
IEC T47-3, N,1- 3
IEC 747-5, N,1. 3
TC 47(c. 0)/ 0821)
TC 47(c. 0)1 0834
引用代号
引用代号
注：1)正在考虑中。
Veso(sus)
Vcne)enn
Vayeao
Vuttat
harens
Lun tart
ton tott
GB12565--90
表D2光耦合器的一般测试方法
集电极-发射极维持电压
发射极-集电极击穿电所
典电极-基极击穿电压
发射极-基极击穿电压
票电极-发射极饱和电压
连续或重复峰值隔离电压
（试脸）
浪通隔商电压（试验）
集电极-发射极截止电流
集电极-基极截止电流
电流传输比
正向电流传输比的静态值
输入-输出间隔离电阻
辆入-辆出电容
开关时间
局部放电
表D3激光二极管的一般测试方法名称
相对嗪声强度
橱值电统
峰值发射波长
频谱辐射带宽
纵模数目
辐射功率
发射源尺寸
半强度角
开关时间
引用标准
47(France)704
47(France)705
IEC 747-7, IN ,1. 10
IEC 747-7, IV ,1. 10
47(France)706
IEC 747-5, N,3. 4
47(Franc)707
JeC 747-7. N .1. 3
IEC 747-7, N,1. 2
IEC 747-5, W ,3. 1
IEC 747-7, N.2. 7
TEC 747-6, W,3. 3
IEC 747-5, IN ,3. 2
47(Sec)1009
47(ee)1000
引用标准
47(Sec)937
47(c+0)1 1871)
47(Sec)940
47(c.0)1 6941)
47(Sec)910
47(c.0)10820)
47(c.0)1 089
47(Sec)1 018
47(Sx)1017
用代号
注；1）正在考虑中。
附加说明：
Ieeo, feno
GB 12565—90
光敏二极管和光敏晶体管的一般测试方法名称
光电流
暗电流
集电极-发射极饱和电压
开关时间
电容(光数二极管）
截止频率
噪声等效功率
噪声电蔬
梧增因子
过剩噪声系数
本标准由中华人民共和国机械电子「业部提出本标准由机械电子工业部标准化研究所负责起草。本标雄主要退草人张彦秋。
引用标
47(Sec)934
47(Scc)1 010
47(Se:)1 611
47(Scc)890
GB 6571—86,2, 1. 3
47(c.0)1 0811)
17(c.0)973
47(c.0)973
17(5)887
47(Sec)888
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中华人民共和国国家标准
半导体品
光电子器件分规范
Semiconductor devices
Sertional specificatinn for nptnelectronic devices(可供认证用）
1.1半导体光发射器件
、光电子显示器件；
发光二极管(LED);
红外发射一极管(IRED)；
撤光二极管。
1.2半导体光敏器件
光敏二极管：
光敏二极管；
光控闸流晶体管。
1.3半导体图像器件。
1.4光耦合器。
2总则
GB12565—90
不规范应与其有美的总规范一起使用：本规范规楚广评定平导体光电子器件所能的质量评定程序，检验要求、筛选顺序、抽样要求、试验和测试方法的细节。2.1有关文件
GB4589.1(1EC74710/QC700000)&半导体器件分立器件和集成电路总规范2.2温度的推荐值（优选值）
见IEC747-1半导体器件分立器件和集成电路第一部分总则》第6.5条。2.3电压和电流的推荐值（优选值）见 IEC 747-1 第 6.6 条。
3质量评定程序
3.1初始的制造阶段和转包
初始的制造阶段为下述之一：
单品半导体器件
变纯P型或纯N型单晶半导体材料的第一道工序：b．多晶半导体件
国家技术监播局1990-12-12批准1991-10-01实施
在衬底上淀积多品层。
3.2结构相似器件
GB 12565--90
器件型号按结构相似分组的关键依据是组内各种型号间的差别不影响试验结果。对本文件乘说：
结构相似器件是指由同一制造单位来用基本相同的设计和相同的材料，工序和方法制造的器件，通常仅因为制造上的变化使得它们被分为具有不同电特性,光特性或辐射特性的各种型号。为了获得鉴定批谁和质量一致性检验所用的样品，半导体光电了器件可以按下述规则分组。附录A(扑充件)的图解释了这些规则的应用。3. 2. A组和(或)B组中电和光特性测试的分组具有相同的器件设计、在同一生产线上制造的而差别仅在按电和光特性极限值避行分类的器件，应根据这些不同的电和光特性极限值（被分成各种型号）分为不同型号的子批。上述器件最好应包含在同一详细规范中，但是在任何情况下都应在签定批准试验报告中说明所采用的分组细节。
3.2.1. 1不同的电和光特性极限值对于那些适用下各子批的不同的电和光特性极限值的具体测试，每个子批应抽取与各子批器件数相应的样品量。
上述具体测或的实例为：
。光敏器件按不同的光敏灵敏度分放各个子批；h。光耦合器接不同的输入传输比分成各个子批；C。发光器件按不同的发光或辐射强度分成各个子批。3.2.1.2相同的电和光特性极限值对于那些适用于所有子批的相同的出或光特性极限值和测试条件的只体测试，用下述之·种测试评定总批：
目，由所有子批的相等的或成比例的数量组戒的一组样品；b、从总批中随机抽取的一组样品。3-2.2B组和(或)C组中环境试验的分组用相同方法封装的、其有相同内部机械结构基本型式，由相同零部件制成的、并经共同的密封和涂覆程序的器件，按下述可以认为是结构相似的。按规定抽取的一组样品可以评定该相似器件的总批。狂：“相同零部件\系指按相同图纸或相同规范白的或购得的合格零部件。3.2.2.1相同生产线制成的器件
上述分组能适用的试验有：
目检：
尺寸；
焊接：可焊性和耐焊接热；
引出端强度：
腐蚀（例如稳态湿热）；
阖度变化和湿热循环（或密封）振动：
恒定加速度；
冲山。
注：(）“相同生严线\系指具有等效的设备，相同的！艺规程控制图或规范，使用相同零部件和材料，设暨在同一}区并能生产相同器件的生产线，(②) 这些器件是指在相同生产线上制造的,并用相同零部件制成的管充封装的。3.2.2.2不同生产线制成的器件
上述分组能适用的试验限于：
自目检；
b尺寸;
焊接：可焊性和耐焊接热；
d.引出端强度;
e腐蚀(例如稳态湿热）
3.2.3耐久性试验的分组
GB 12565—90
除在详细规范另有规范外，对于耐久性试验（例如电耐久性试验或「热试验)雨言，具有相同的器件设计、在村同生产线上制造的而差别仅在按电或光特性极限值进行分类的器件，应根据这些不同的电或光待性极限值分为各种型号的子批。根据第3.2.3.1或3.2.3.2条的规定，这些子批之--中的器件可用作电耐久性试验。
上述器件最好应包含在向一详细规范中，似是在任何情况下都应在鉴定批准试验报告中说明所采用的分组的细节。
3.2.3.1在B组(逐批)中规定试验时对于每种耐久性试验，倘若从下述规定的任一子批中抽取一组样品.则可以评定总批：。被选子批的器件总数向其有较低额定值或不太严格的特性极限值的所有其他子批的器件总数之和、不少于所有子批总批量的60%，h、在生产过程中的前三个月内，应对总批中在该周期内提交检验过的、具有最高额定值或最严格的电或光特性极限值的子批抽取适当的样品量进行电耐久性试验。3.2.3.2仅在C组(周期)中规试验时对于每种周期性耐久性试验，按照详细规范规定的样品量抽取的一组样品可评定总批，样品最好从器件数量最多的子批中抽取，面且应保证在较长的期限内适当轮换其他型号。3.3鉴定批准的检验要求
应与本标准表 5和表 6 规定的独样要求一起,正常地采用 QC 001 002(程库规则》第 11. 3. 1 条的方法b)。
但是，如果采用有关的空白详细规范规定的样要求,则允许采用 QC 001 002第11. 3. 1条的方法a)，
3.4质量一致性检验
3.4.1组和分纠的划分
应接下列各表划分组和分组：
表1 A组一
A2b,A3.A4
检验或试验
外部目检
不工作wwW.bzxz.Net
电和光特性
引用标准
GB 4589. 7, 4. 2. 1. 1
有关标准
按规定
按适用方法的规定
检验或试验
尺（互换性）
电和光特性
《设计参数）
其他电和光特性
电和光极限
值的验证
引出鞘强度
可嫣性
度快速变化
继之以：
凝热循坏
温度变化”
恒定加速度
电耐久性
离湿贮存
放行批证明记录
GB 12565
表2B组
（关于 I类,见 GB 4589. 1第2. 6 条）引用标准
按详细规范所给的外形图(也可见附录B)行关标准
有关标准
有关标准
GB 493713,2. 1
GH 4937,2. 2. 1
GH 4937,3. 1
SJ/Z 9016,4*)
(IEC 749, ,1)
GB 4937,R. 7
SI/Z 9001-45)
(IFC: 68-2-14 /)
GH 4937.2. G
有关标糖
GB 4937.3. 2
1适朋时，按规定
适归时,按规定;例如高温测量
适用时,接规定
按规定：例如引线弯曲
！按规定
按规定，取决于封装
按规定(检查问歇失效）
按规定，取决于封装
（如果空匀详细规范要求时）
不适用
按规定方法，168h
在高温贮存温度下 168 h
按空白详细规范中规定的计数数据注：1半导体分立器件机械和气模试监方法。2）不适用于超小型器件。
3）半导体器件机撼和气候试验方法》。4）仅适用干光耦合材料与芯片表面或内连引线点接接触的节麗纤器件。5）基本环境试验程字》试验N1温度的变化。分组
检验或试
电和光特性
(设计参教）
其他电和光
电和光极眼值的验证
结到管壳的热阻
引出端强度
耐焊接热
温度快速变化
继之以
湿热循环
机械冲击
继之歇：
恒定加速度
稳态湿热
凝趋循环
电耐久性
等效的加迷
应力试验
高温贮存
低气压
标志的耐久性
放行推证明记录
注：J）不适用于超小型器件，
GB12565--90
表3 C组
-周期
引用标准
有关标准
有关标难
有关标难
有关标准
GB 4937,2. 1
GR 4937,2. 2. 2
GB 4937,3. 1
SJ/Z 9016,4
GB 4937,3. 7
GB 4937,2. -1
GB 4937,2. 3
GB 4937, 2. 6
GB 4937.3. 5
SJ/2 9016,4
有关标准
GB 4937,3 2
CB 4937,3. 3
GB 4937,4. 2
按详细规范所给的图(也可见附录 B)按规定
按规定;例如在极限温度下测量
接规定
「按规定
按规定，例如拉力或转矩\
按规定
按规定，取决于封装
按规定,取快于封装
(如果空白详细规范要求时）
按规定.取决于封装
按规定的条件,1000 h
在最高贮存温度下1000h
在本组或 P 组中规定
按规定
按空白详细规范规定的计数数据3. 5D组试验
GB 12565—90
仅适用于鉴定批准。当要求时，应在空白详细规范中规定。3.6筛选
在详细规范或订货单中规定筛选时，则应按表4对生产批中的全部器件进行筛选。通常筛选在 A 组,B 组利 C 组检验之前进行。 当在符合 A 组和 B 组逐批检验及 C 组,周期检验的要求之后进行筛选时，则应重新进行可焊性、密封和A组检验。按详细规范的规定，可以要求增加筛选后的试验。筛选顺序应按表4。
活：表1正在考虑中。
3.7抽样要求
表1A组检验抽样要求
三端战多
端器件
一器件
三张或多
黏器件
二溺器件
注：1）AQL值用于每个分组中不合格器件的总数。TE
2) 如果 A 组检验选择 LTPD,那么只允许 A2 分组果用 AQL。3）批允许不合格品率的龄大合格判定数为4,S4
心. 4们
4）如果用100%的检验证明某批中不合格器件的数量少于 0.1%,则不要求对该批再进行本分组中光电参数的抽样检验。
GB12565-90
表5B 组和 C 组检验抽样要求(应采用 LTPD)LTPDI
1类和类
注：1）批允许不合格品率的最大合格判定数为4。试验和测试方法
见附录D(参考件)
筛选等级
GE12565-—90
附录Ａ
结构相似性
（补充件）
下面的示意图给出了生产中如何应用结构相似性的图例。3.2.2.13.2.2.13.2.2.2
生产线
光敏晶体管
(如:Si,NPN)
生产线
用相同冬
光敏晶体管
(如:Si,PNP)
生产线
光耦合器
部件龄成
的封装
对民检，
尺寸，
可焊性和耐
接热，
引出端度
对温度循环
+醒热或密封，
振动，
恒定加速度，
冲击抽样
按不同的光
和（或)电特
性分减子批
按不同的光
和(或）电特
性分成子批
按不同的光
和（或)电特
性分贼子批
例姆：
电流传输
比或灵敏度
或其他蚕数
每--子批对其
特有的电和（或）
光特性极限值
条件样
光敏晶体管和光耦合器的结构相似性图例图AI
每批对耐久
每批对相同
的电和或》性试独样
光特性极限
值或条件抽
B1封装外形尺寸
GB12565—90
附录B
（补充件）
本附录列出了B组和 C组应该检验的尺寸,并采用 GB 7581--87《半导体分立器件外形尺寸\中标准化了的字母代表相应的尺寸。器件外形(IEC)
(1】单端引线安装
例如：具有底座BAA的 C4(TOS)
(2）带有接线片的螺栓安装
例如：A4U(D05)或AI4U(T065)
（3）扇平底座安装
例如：具有底座B18的C14A(T03)B组
01,U2.g.A
全部“
注：1）详细规范中引用IEC191-2的外形图或按1EC191-1规定绘制的外形图中，除组已包括之外的全部尺寸。B2光学方面的有关尺寸
适用处，应在详细规范中给出光学方面的有关尺寸和在哪-组中检验附录C
机械试验加力的方向
（补充件）
对于施加的外力与器件取向有关的试验方法，其取向和所施加的方向应符合GB4589.1附录C的图4和图5或下面的图C1和图C2。Yuy
基面（如果适用）
（如果适用）
圆柱形器件对加力方向的取向
GE12565—90
图C2为和有关详细规范共同规定的其他封装形式。Y
图C2其他封装形式
附录D
试验和测试方法
(参考件）
引用有关试验和测试方法如下表所示；当详细规范要求并按下列规定时（见GB4589.1第4.3条），则应使用这些方法。
引用代号
注：1)正在专意。
ton s tar
发光一极管和红外发光二极管的一般测试方法名称
发光强度
辐射强度
峰值发射波长
光辐射带宽，频谱辐射带宽
辐射图、半强度箱
角偏差
开关时间
正向电
反向电流
总电容
光通量
辐射功率
正向电流
截止频率
引用标准
IFC 747-5+N ,1.1
IEC 747-5, IN , 1. 2
TEC 747-5, W,1. 4
TC 47(Sec)885
TC47(Scc3898
TC 47(Sec)897
IEC 747-3. N ,1. 2
IFC: 747-3, W1. 1
IEC T47-3, N,1- 3
IEC 747-5, N,1. 3
TC 47(c. 0)/ 0821)
TC 47(c. 0)1 0834
引用代号
引用代号
注：1)正在考虑中。
Veso(sus)
Vcne)enn
Vayeao
Vuttat
harens
Lun tart
ton tott
GB12565--90
表D2光耦合器的一般测试方法
集电极-发射极维持电压
发射极-集电极击穿电所
典电极-基极击穿电压
发射极-基极击穿电压
票电极-发射极饱和电压
连续或重复峰值隔离电压
（试脸）
浪通隔商电压（试验）
集电极-发射极截止电流
集电极-基极截止电流
电流传输比
正向电流传输比的静态值
输入-输出间隔离电阻
辆入-辆出电容
开关时间
局部放电
表D3激光二极管的一般测试方法名称
相对嗪声强度
橱值电统
峰值发射波长
频谱辐射带宽
纵模数目
辐射功率
发射源尺寸
半强度角
开关时间
引用标准
47(France)704
47(France)705
IEC 747-7, IN ,1. 10
IEC 747-7, IV ,1. 10
47(France)706
IEC 747-5, N,3. 4
47(Franc)707
JeC 747-7. N .1. 3
IEC 747-7, N,1. 2
IEC 747-5, W ,3. 1
IEC 747-7, N.2. 7
TEC 747-6, W,3. 3
IEC 747-5, IN ,3. 2
47(Sec)1009
47(ee)1000
引用标准
47(Sec)937
47(c+0)1 1871)
47(Sec)940
47(c.0)1 6941)
47(Sec)910
47(c.0)10820)
47(c.0)1 089
47(Sec)1 018
47(Sx)1017
用代号
注；1）正在考虑中。
附加说明：
Ieeo, feno
GB 12565—90
光敏二极管和光敏晶体管的一般测试方法名称
光电流
暗电流
集电极-发射极饱和电压
开关时间
电容(光数二极管）
截止频率
噪声等效功率
噪声电蔬
梧增因子
过剩噪声系数
本标准由中华人民共和国机械电子「业部提出本标准由机械电子工业部标准化研究所负责起草。本标雄主要退草人张彦秋。
引用标
47(Sec)934
47(Scc)1 010
47(Se:)1 611
47(Scc)890
GB 6571—86,2, 1. 3
47(c.0)1 0811)
17(c.0)973
47(c.0)973
17(5)887
47(Sec)888
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