本部分为GB/T19403的一部分，等同采用国际电工委员会标准IEC60748-11-1：1992《半导体器件集成电路第11部分：第1节：半导体集成电路内部目检》。 GB/T 19403.1-2003 半导体器件 集成电路 第11部分：第1篇：半导体集成电路 内部目检 (不包括混合电路) GB/T19403.1-2003 标准下载解压密码：www.bzxz.net

GB/13403.1—2663/1EL60748-11-1.1992本部为GB/：3的一部分，等司采月国际工要负全标准EC62748111192半享体品件荣成电路第1部分，家1卡：半导体集款电毕内部日始不包混合电路）（英文版）。中于[350743-111标准京文中无医，压2，为保证与国际你准的一或性核解分的图到从图3治
本部分由中华人民太和国信总产业部出本部分日全州类皮四路标准化分意术交员会归几木部分起草单位：信启严业部第四研究所，本部分要起毕人：魏华、于游
1范固和目的
GB/T:19403.1—2003/[EC60748-11-1:1992半导体器件集成电路第11部分：第1篇，半导体集成电路内部自检（不包括混合电路）
进行内部日检药日的足始验第成电踏的内部过料.结构和工巴，始证与证用的规范要求的致性，通靠应在相影咨封之前对亲行进行100内部日检，以发境可能导致器行在止官仲用时失效的内部缺陷并融膝相应据件。本试验也可按抽样方式在封拒之前使用：以确定承划古村平守依器件质轻制和乘作程序的有效性。
2设备
式验设备包括，具有规定的放培准的光学设备；必须的日检判据：规，图纸、照片等>以保正检验效果和位操作人员对被检器件能否按收做山客观判断；为损高工作效率在控查期间固实器件且不引间器件损伤的含适夹具
3程序
3.0齐绍
3. 0. 1 总则
在现足的政大倍率范用内按适当的激察顺序检验器件以确定举牛是与本部分和活的范的委求柜一效，太试率方法的控验和判近用十房有端件和二作，本成我方法给出了预定用再于H沐器件工态或技术的判据。
对于如金属覆益层，氧化的和收缺陷等日检段为困妞的复器件的降验，可选择替代筛选程孕代替日控判据。这其可述蜂替代的筛选方洪和垂序在计细规范中规定：要求范用乎线宽在2从m以上的工艺技衣。3. 0, 2检验顺序
本部分例出的检验顺序不是要求的检验顺序，制造厂叫自行决定检整顺序。3.1，1.分,3.1.，5、3,1..7,3.1.2,3,1,7的象款(5)和(：、3.1.8、3..9的条款(1)、<2)和(1)规定前月检判现可以年芯片析接带检验，芯片接后需要&查，3.1.6.2和3..5.3规定的自份别带以存合两，格验，链合后无须更新格验，，.，1和3，1.现宗的日於标准可以在芯片粘接前高倍检愉，芯片精接活采用倍复查。当采月倒装安装技术时：安装后无法检验的划期成在志片安装前检验。任何木迅过试验判据的器长认均提有缺陷的益性，它们将在日检对被指收并期除，3.0.3空气洁净等级
本部分实气活净度分为致，等级足基于位体积内且有.价及以成5.0m及效上微粒的改大允许数出：做粒穴尺方表不为意粒表面最大线性尺寸或点在，在采币场返应采用下列做粒计数方法之一：
（1）0.5及以上表报尺放各应使用光散射原理，（2】.C:及以上游物尺.通过气沐详本的圾样，微粒的显最数量收集在一个试光链上，（\）可以使刃其他临测方法和没备，只要证明难确度杆可五性等于述所列方运，手动的显微宽方法适用三蓝划35心级的空气。微粒数为供表应有工作场所附近的空气中，在工1
GB/T 19403.1—2003/1EC 6G743-11-1:1992作活动期间的动定创隔进行。然格量的推养位微烂弃工作分高原、求单深进入空流取件，3. 0, 3. 1 3. 5级
0,：更人粒子术逆过3.个，或每升中5.m更大粒于未过5.3个。3.0.3.23530
每升中0.更大超过500个。或每中.史大粒不过个，3.0.4检骑拉制
所有情究，准展后奋对前，检验设的所作的检验与最！7出前次检给点上所准的拾验按同所量计地选行。在上述3口所判须当检验以后虚特到小心以保酬作其的1站处理中产牛的缺验在密封世逆的最后一次查验牛能般发现而予以拒收，在月抢和等待密时的这段时间内，器件应误存在受控环境内.
3.0.5放大格案
商效大倍效下的检查应是在品些照职杀件下与心片表面垂直方向主边行，赋款大效的检食可使器件在适当的照明下采用单简、放或立.本显微说，在任何角范因内进行，若承制方愿意，3.1.1求3.1.6.1慧定的扮查止可在高或人告款下过行。3.0.6定文(仅郑检验之日的）
(1）有源电路区ktiveinuit.freE他括各种齿能电路元件.工作金质化尽及其扫连的染合（除率式引线以外)的全萨区城。注，这里“有游”4应“无”，与有&利无露元想元义(2）受控环竞ntrMledemiromen
空气洁更等，5级，气依环原的感升例知，效实，虚充带尽环英需孕产受产存，相效湿度应不部过0共，
(3）扩胶岛tiffusiu1ul
由培材料包因的F成V型卡学压料的隔商区(4）外来物质foreiganaterial
制挡新电将未表用的九约贞、必在设电路外表内非些已商开门来或定应资的们可来效，果历个额定气流（大约ka欢不动，认是的的守月的外米物质定义为在常规当检户来用照明和放大条作下呈玩为不逐明的部些物质，注，“繁色与的达续行金的色务较生款查技以为是最股在求减惊化层(5:功能电路元件functiaralcircuiteenvenis有源或光源示件例虾：二管、品体管，电容能，电阳器，穿接带。(6；拼氧化桥gateoxidebrldge
MS特购派与混之间的文收区域，金成化轻益的树氧化桥包括而作栅极的其怕全部材料.（7）玻璃纯化层glnssivalion
芯片顶层闪逐遥医施级财科，它险益丁除合区和贸出引线以外的也括定国化层的有源心路区，裂效玻旁钝化流十的细做没丝，
(8）jnaetio
指沌化层台阶的外边源，方确是：P型和N型半导体材料之间达界：（9）客匠金两化层导年）nmllilayeredelallizalinn（rmdnrlors）用二起工主作生权层或多层金或工其地导体材料-这川.长料之间末用生长或淀租地缘材料等它们被此府离，“下呆全“按顶层金厚下匠的门：需金属。）多屋市缆金函化层导体）maltilevetalliratiuneondetors月丁起互连作月的双层成多尽金属或任何其他导体材料，这儿层村料之间通过生长或流积绝缘材州被此隔离，
GH,T19403,1—2003/IX: 60748-11-1,1992（11）工作金同化层（导体）operatingelallizalion（enduclurs）雨作起五连作用的所书会或任何其档导电材料景小包括金温化的频片线.衡试图彩末未连接的能电路元件，不使用的链合区和识别标志.（12，有机乘合物（环塑树脂>蒸汽戏余hgnnicpolfmer(epnxrapauresidne从恶含物中遂出的在有效表面上成的钩见，（13）原始更度orlgnalwdth
在没方出地异常协祝下应兵有的宽度或亚高（例如：原好会测条宽，原始敏区宽度，原始采的宽度等
）钝化层台阶aalintep
核改计在金烟金属或金寓硅的连接处后就均缺化层历遵的变化。不包括器伴正常1艺中坡聘钝化层示除运在表道形成的线条，（15）纯化层passiralion
在企减淀积之前，宜接牛长或淀积连芯片上的氧化、氯化红或其偿绝繁材料。（16）外思金peripheralmetal
听有去接与谢升线据邻或位」划为线上的金润(17)厚肤hick PHm
腰是·种途取的票，如通过经网即职之和在尚温下烧增到其最终形金：<18）薄Thinflm
通真空发谢射或热分解界到其片上的膜（厚废通常小于）。（19）村底sobstrate
钟化层、金化后和路元牛位户其内和/或其.上的起文持结均作用的村料，（20）电租器量窄宝度narrowestresistorwidth修止正前给宗回乱忙量泽部分，士批准的制方文件内可规定忙电阻的最弃电宽度。(21）切疯bwrf
通记能止，以心阻器面机上去除或正掉一部分电两材样的区域：（22）碎detrltus
战留在划痕中的原龄电阻村料或经光橡止后的电阻材料游末。（23）方块电阻ilnckresl5tor
一种薄膜阻需，专到修正团值药要，其宽度设计值应比功率究应求的宽竞得装，关门业三批谁的承制方封问满百检视行文件中予以标认.（24）亚新塑台rebund
两个焊盘之叫成一个焊盘利一个链合点之间取代原来的辨台丝的一次腿含，此键合丝巨长掉，或阁下链合附若焊盘的熔焊部分或键合册，或在第一改尝试中尖效。（25）划伤scratch
任付撕裂缺，包拓探外在金牌化会表面的狼迹。26）空oid
不是山划伤引起书在金落化层内的伤何也下层时将区域。3.0.7说明
在[心俭2倍放大倍数下做检时可用“条分随缩\或\二个金属案宽\作为满足弃条中关于“饨化层吸会属条宽为“.5=\的交求判据。在这里提到的\豆现\指当日控器性的图悼或外祝时，到确文学在长此特定伤说而不品要用其使验法于以的实。3.1试验案件
对每一鼓电路和每一集成同路芯片均应进行3.1.1~3.1.6要求的内帮日检，此外，对微电路中买3
GB/T 19403.1—2003/E: 60748-1I-T;1992用了我瘤钩化层，介质两商社膜电阻的相应这诚述应排行3.1.--3，1.！要求的检。高救大倍数的检验成在J1供29)倍的范国内进行，保效大猎数的检验应在3J格~6J格的时内进行3.1.1金周化层缺陷，商倍
有划缺陷的器再应兼拒收。
3. 1. 1. 1金属化层划伤
（1）在金减化层E的到伤汁长度方向暴需了下尝钝化层，使保畜的未受顺伤的金属宽准小于原始金属毫度的50（图3），
（2）到伤完企等过企同化道路，损恢广莞的纯化层的表面<对M（5器件，通路是根长：向，别4.
（3）在多层金感化层中的划伤沿长变方向最两自下层金属，独探留的末受质伤的愿始金属层宽度小于压
让：车学者）、（2>和（3攻不包措关用多来业行的电盈取地势会则化总通路，这时因划资而使系金测化开路不会逆式通路的意外开站
（）纯化层分阶上的金层化层划忧便未受伤的部分小干台阶处原始金属条宽废的75兴。：本1（41项不包括定司度口商窗高窗长度内金化，及超过悉财宝增部的金润指层，在选种增记下，未破破坏的金属化后争少预英接赶留区的接融断长40图
(5】妍率层上金质化层的刻伪，它使其下层佛化层暴群·并使未受疆坏的部分心于源与满右敢区之间金属化层的长魔或宽度的50洽适用于MDS结构见图4）（G）在金展化层中的划伤举需凹谢膜电膏器成按结码的介质材料。（7）妞合区或按条区上的划伤，满露「下层钝化层，使与该合区相部分的金条宽难诚小到其进入链合区相库金网案最窄宽度的50，如果有两条或多条金成与键今区相连，应按此要求分构查等条金底条。
（）链合区性划伤（如探针压衰等）柔爵了纯化层，余下的面积小干原始范术被戒璃钝化层测盗的经合区金属化层面积的75。3. 1. 1. 2愈熏化层空隔
（1）会化层的京赠，位末变损伤部分小于原龄金具案度的5%（见图6)。社」实制据不括存在多景平行的用边心原或地线的命属化温通路，这对国必单传一添金间化是所路不会造成须路的减外开路。当车款引起成也许器件设计出筑坐度限需，酒过轻计义性划，木条款可不买，出证主度通设让调定，不是内都日轻的内弃，（2）在转化层台阶下的金属化层的空除便该台阶上木受损衡部分小干原始金属系宽的15%法：判（1和（2包活沿走线方向融窗上高份家更为窗长妥256闪的金化后以及留过接市留军部能金化三，在这种情况下，术系获长的金减化层企少微接司门风的5%利据量口区述续间长的财岗
（S）在摄化层上的金属化层空原，便末受损的前分小于源与满扩政区金化总长度（工》的75（矫用于MS结构见图4）
（4）空隙使未变损坏的部分小于原摄书化层E.金距化层面积的6U适用于M(S结恂：（5）空原快术受损伤的剂分小于与源或惕散结线相重合的金展化层宽度的75%（适用于MOS结构用4]，
（6）链合比中的空际佳来受损的部分小千其原来的无玻璃钝化金质化房面积的75兴：（了）空院在疑合区或兼条区上：定位与该链合区相违部分的金需条觉磁到进人链合区的上座金属求最容更的的%以下（压图力
：如牛尚乘或多象运人键合区的金双通路应时每系总独考感。（8！在薄漠电容群金质化层中的空限.缩减到金属北层而积的25%：3.1.1.3金属化层的离蚀
任何一种金展化尽房链。
3.1.1.4金属化层粘附
任似金冠化层的降款，起皮或起袍3.1.1.5金属化层的探针损伤
3.，1.1包含的判排适同于检查换律划伪：3.1.1.6金属化层的桥连
GB/T 19403.1—2003/TEC 60748-11-1:1992门何两条金所化通路之间的也离内金届北层的情注减少到小于2.5m，改计要求除外3.1.1./金属化层的对准
（）战金房化元夏益的按触窗1面积小于格个接肥签而积的心兴2教金属化层腰益的流然街口可边长度小三按触窗口周边40：计：当按设计要求金鸿后造完全包在接调内，不满费完全模董做“报感量口的周边：只要微忌要求：本功项以忠
（3）不应该覆益接融商口的金君化通路可接起岁口之间距阅小于2.：r.（：源漏扩带区之血的拇率化层的们何采群（仅出于MS结均州阅总）。【：栅氧化层的任何寻路，中源孤活扩政区之间末被战坏范金严化层中进部分小」治（仅新月MS站构
（6）制企为化层末与扩教保护环再达或妞起保护环注·车据用保的法构改保器，金化的超出化办不2.图图6！
3.1.2扩整和糖化屋缺陷，高倍
有下列带留的器作持融拒收
（）扩微区之间出现情连的能图9（2）行河不座经的版高价政区，九生区或无用健合区用围的隔离毕除外，成任何其蔽区保商的座小」原始广散流！为23
（3）金属化层边漆净延续到金底层下而能石到钙化层的多兼干涉条数或缺损（见图2）.性，三悄产三资的干沙系效放示效名有定够的深度，已涉透别了举导体对料人计。否列，在读陷区攻璃化后就卡破期钟层任在的特证可通划领成效对北求证钟化是车，包可案用边下策级心法。本划据（2）项下任括在会鼠化层施职之到有不同上支的：次地化，除非设计规定，有源结：无比化层覆送，3.1.3圳片和芯片缺陷高告
有下列缺陷的器件将减收
）1作金网化层或健合区达缘利芯片边缘之配可化层小」25Am.三！木划与正余周化层和！艺片同儿作的会属化的合区，（2）有源电路之的裂纹（医1），注：本列据十包西本可济上村底相河的边金化层，黄损使示受税不的全两化法豆要至少有改，除非非行通喀产，以有激效上的中路不会川超金病化路开龄，（3）有想电路区上底或化尺设效或通过5的整级（地料11）（4在芯片上任工作今四化层或其他市游电×格过的装效.：本划限包质营出相风收外州金成化号（）均片摘内或均线指向，作金两化层或功整有路元件的配数长，超过2m（见图11)3. 1. 4链合检验-低估
本项验和要的标雅适用三对各邮含炎型和位置以二丽单观券。注：本净完键个的博理尺寸时，见丝不的谨台以的一分，GB/T 19403.1—2003/IFC 60748-11-~:19923.14.1金丝球焊
有下列缺陷的留件将然范收
【1】志片或封装性上的金些球焊，焊球立经小」金些直经念倍成大丁金丝直径的6借。（2）会丝不完会在球的日周之内啡出的金丝球、金丝在感酒形之项至少一金就立径的风题态乘直州山
（31引出的会终不在链合区同的十心的金好球根，（4）倪干金属化显工的金丝球妇部分：征何金丝悼球的尚边，形股的单格扩展大于2.b小m3.1.4.2变形链
与下列缺陷的器件将获距收：
（1）在芯片或封装牛-随声按形合点的宽小于链个丝自径的1.2成大丁其直经的估，其长座小于键合纯自径的1.b使或人其共直给的5倍（川用12)。（2）在芯片或封装柱上，益压树形健点的资准小十避合直径的1.2估满人于其直径的3情，其长度小丁链台效立径均1.：倍大F其直药5倍（见图12。（模形链合延州到与链合区相连的金属化兼上币且链点周界与该金两边均义送或年合图7我13！。
些」：入到链区的金厚化的度hm并入的金属非运读测尺人1m时可不带本判患要求，
主2，否可接收的呢将或情益有关区械时·只要下随来件弃，可以不志本判据的受求：点引入金属仁利班合的交之间间版25以领点和线的是于此没明显的糖钱求的链命真化层的家，
3.1.4.3无尾键（月牙形）
有下对缺陷的器件的鼓担收，
（1）在慧片工或封装柱工.无民健台的觉小十链合断当径的1，倍成人其自纳的5倍·其长生小链含率直径的，下倍成大于其经的3倍（见图1)。（2）无企的压娠程益格个引线宽。（3）无总链合题伸划与钟合风相逆的金尚化象上不包拆可的六被被坏内金属条，而且链合点测界与孩余属化案达交端或重台，3.1.4.2一般情况（金丝球焊樊形整、无尾独！有下列献陷的器性将嵌拒收；
（1：在心片上链合，从焊盘内部边漆算起，在非披理饨化的做区均的链合而积少一心（2）在起七上的合点，不完全在两个比裁焊盘克度内（即最案焊盘宽度）或链合不完全在封装的链合文内
（）独食点的使誉使从糖合点州出的引战价置与另一个轻会点交更。（4）链合点的位置在链合点之间或注合点与个定连接的工作金可化层之间而小十2.51）独合丝尾部仲列发辅性化层未覆置：工六与谢合统相施接的金高化区.（）链合吨部，性链合炬区长超过金网丝臣将的2倍，作封浓引线柱长超划余属纯白径的4倍
）键个点%以，产二钟制芯片军装材料区域内。（8）在另…个端顶部的续合，在链的尾性上或线出的键合纳上的链。超声快形记在，未链的旁过对，见察等一个链的宽费减小超过6切是可效收的。（的）任何雨情难减附划链合整成制的办法修理导电伍的吹显修补。3. 1. 4. 5距新避合
当符合~条件时，羊片器件药重新链合足充件的：GB/T 19403.1—2303/IEC 6C748-1-1:1992（1）第：改链台的附荐面积举少%在本被破坏的企属上（不他括术录露钝化尽的探针逆）。2）在行可链合民或链端位置小超过一次的新链合。【3；泄合区足够容约直新继合，（）\欧键合位量界近金属化层端头，3.1.5内引裁，低倍
去拉整和划消对适市的引绒类型和位冒应作为至求。3. ,5. 1 引
有下列缺陷的薪件将被拒收
（1）接触到另一权丝不包括共用引）封装业末载班离光化层险益将下作金感化区，芯片任圳外壳部弥的注些
2）在引然中存在多余的环成弯曲使习线与另外的与鼓，装柱，六最化的工作金属化尽或片，或外壳部分件离不2借载直行，然X千形记合小到12m，超声和热块形链各千到25Um时：此要求不适用于与芯升表面上高链合用异均球形径向亚离的确定）何弓上裂口、切、刻痕颈缩使载直径减少25%以上，（4）链合丝居在铝合区工其长度大于2件引直径或在封装性上其长度大于倍引载点径：（）在了线和详会的接合处：的斯裂（）从芯链合区到划装线而不成强形的引线（也见.1.4，（）（？）线与线义义（北州线踪外），（）不符合证合的引端！
3.1.6封囊条件.低倍
有下列缺尚的盟件将激书收。
3. 1. 6. 1 外来物质
外来物质或微粒非用标定的气流吹择（人约140处a），器件现下刻情说格被排收：1114心片表面必外竞内在没分固定的外米粘质。2！在益或的表价上存存设有：定的外来物质：计：不判共可两过环定的气演人约1a或合适的净1之满足，决并点单在对装前点处可控的不疫中
（3）附若竹导电外事物质桥准会品化层调路，外光·川载，外光会虞化与缆，以能电路元件变势，或信何电密不连擦守的桥准（4）在芯片表的波滴，质盖大于2添的链台区京所注任们末被鼓瑞纯化的金属化层或理游的硅表面.
3. 1. 6. 2
芯片安装
芯片安装科将洲值创心片项部表归上。至芯片周长以上未见心片安装校料：除非在两不相郭达光伞连续（降透哦芯片外）(2)
适明百志内锂合而积小志片的%。(
芯片安装材松的共.
（）！片安表杖料的聚黛，当从工面观察寸，可老到的周男悼接轮确不到5多《范图14)。3. 1.6.3芯片方位
芯片定位和定向不符器件装配图能要求：蒸片与芯片粘接区之间频角成大丁艾片与绝缴材料变送
一一些片的儿何绍构或尺寸不符合器件装配图的云求，3.1、7玻瑞快化层缺陷.高惜
注：本录款的判据可不括对出广激光止引儿内缺南、车这种相况一，菌光替止使以换义于的快陷不应超证所GB/T19403.1—2003/1LC60748-11-1:1992保的理的一半，要没快险等或的或，联较大者见图15）.当使用此负端持，座进行并通过一个苹品的站家（：m验有下列缺陷均器片将被指收：
（1坡沌化层中出现的裂效：快本部分军求的日控内容难以进行（2）坡死化层的陆起必剥皮。
性：当以纳辅化层的设升周边扩展题限·5大十5m时，联底靠化层的降点成可以，含展的最露们其在推轻满合点点金化具上。
（除链合区乡，只要两条或*新相邻的有派会四化层酒路术检玻响纯化层画益，除设现定之外，任刊方应上末被世链化层准益的尺广人于2m键合区边爆求被班地化酒益的区城暴舞了中宁保材料。(6)
鼓璃钝化层益的避合区面起大于50列。在膜电阻器上的装效，
戒考使化层上的字照，录环神电附器或连线的迁部分按设计要求车爱离钝层上商除外。
3.1.8分意网离：高销
有下费陷器件将微拍收
【1在含有功能电路元件的每个陷商周国两离线（典型的为录黑线不过续则率10）（2）在含有功能也路件的相邻隔离路之间缺安续的两离：（）扩效达与价质用图校料变送，与料邻的带两龄之的照离小：2，m，或，个以上的护做区同时与该介阔内材料选（况图16）（4）：被触窗口与个质杖料按触或中选。5）在齐见需离台阶上金虑化层中的谢齿和空谢陷不常足3，.1.1（1)3.1.1.22的现定。3.1.9腹电阻，高估
定根新谢股电阻器有效使片部位嵌陷的配决定拒收，3.1.1金病化辰的嵌降判应适片，有下劳缺陷的器件游被拒收：
（1）连线和电附器之间任何带位，过相交送的实际宽生小」单阳器原始宽任的5%（见图1？）2)
金网化层和膜电座器之间重选部分亦长座方向工小于6图17！3
任何需个电附器成电丑器和金病北层通路之间的正商小，2.m，设计规定除外。实除或题靠续膜叫阻一碳宽度末受鼓坏的部分小于嘎电旺器宽度的5购，)
启料器导线你户瑞的2.5内电阻器格料颜色现安变，四击忽使务用的电叫器将有游电路上人该相连的两点连接起率，薄膜电阻器在底二的不规则跨技（如：介质离线，负化层或收层价等比图16）。(8）空殖到伤或阻者同时存在的结界，使电阻器宽度小于rr或电剂醫最弃宽度-一半.亚较大者（见图18
3.1.10激光标工的电阻器高伤
应似书游腰电阻需有欲使部付献随的价况决定护收。有下缺陷的器件格链护收：切狼徽意小m
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（）痕内含分未交到修正的电阻器财料除非电压器材相连续池尴过该划激上在宽度三云受列爱原的部处，电组器象牢宽店的一产变6联数著、更臣19），（）在偿正区减内，内静正，包括空隙、划仿及其组合的影响，低胚器宽度小于心函举量窄宽度的一半或r:18利2
（三）修正路径注人广金化层，什电附器除外。GD/T 19403.1-2003/TE:C. 60748-11-1; 1992注，导体或电证器由没川规定或对连案修正以以烽正成开路（6）体电用停区进入金需化员（本包括键合区）的线度大F原始金宽度的25%（见图21）（7）：四据进人划痕中的一氧化伴，些叫措与电阳器材和之间末量现山一条分据线，3.2规定的条件
在适用的规他中度详细实以下内穿：“1）与山扰确的电降、设计，布局、技术或绍均任而不致前地方：（2）给操作者用作比较的量规用纸和照片（从第2章）（H）特殊的款大倍数（见3.9.5）4图
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