DL/T 368-2010
基本信息
标准号： DL/T 368-2010
中文名称：输电线路用绝缘子污秽外绝缘的高海拔修正
标准类别：电力行业标准(DL)
标准状态：现行
发布日期：2010-05-01
出版语种：简体中文
下载格式：.rar .pdf
下载大小：3639992
标准分类号
关联标准
出版信息
出版社：中国电力出版社
标准价格：0.0 元
出版日期：2010-10-01
相关单位信息
发布部门：国家能源局
标准简介
DL/T 368-2010 输电线路用绝缘子污秽外绝缘的高海拔修正 DL/T368-2010 标准下载解压密码：www.bzxz.net
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标准内容
ICS29.080.10
备案号：28998-2010
中华人民共和国电力行业标准
DL/T368—2010
输电线路用绝缘子污秽外绝缘的高海拔修正
The correction of high altitude on pollution external insulation forinsulatorsused intransmissionline2010-05-24发布
国家能源局
2010-10-01实施
2规范性引用文件
3术语和定义
4高海拔地区污移条件下绝缘子污耐受电压的修正5统一爬电比距（USCD）的修正
附录A（资料性附录）气压影响特征指数n值次
附录B（资料性附录）高海拔地区污移条件下USCD的修正系数示例DL/T368-2010
DL/T368—2010
本标准是根据《国家发改委办公厅关于印发2005年行业标准项目计划的通知》（发改办工业[2005]739号）的安排制定的。
本标准根据我国交、直流输电线路用盘形悬式绝缘子在高海拔地区污移条件下人工污移耐受电压特性的研究成果、外绝缘设计和运行经验等制定。本标准的附录A、附录B为资料性附录。本标准由中国电力企业联合会提出。本标准由电力行业绝缘子标准化技术委员会归口。本标准负责起草单位：国网电力科学研究院。本标准参加起草单位：重庆大学、华北电网有限公司、中国电力科学研究院、清华大学、青海电力试验研究院、云南电力科学试验研究院。本标准主要起草人：蒋兴良、杨迎建、吴光亚、刘亚新、张锐、张志劲、宿志一、梁曦东、张仲秋、马仪、舒立春。
本标准在执行过程中的意见或建议反馈至中国电力企业联合会标准化中心（北京市白广路二条1号，100761)。
1范围
DL/T368—2010
输电线路用绝缘子污移外绝缘的高海拔修正本标准规定了标称电压高于1000V交、直流输电线路用盘形悬式绝缘子在高海拔地区污移条件下绝缘子污耐受电压和统一爬电比距的修正方法。本标准适用于海拔高度1000m～5500m地区的盘形悬式绝缘子。支柱绝缘子和套管的污耐受电压和统一爬电比距的修正方法可参考本标准。2规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。GB/T2900.5电工术语绝缘固体、液体和气体（GB/T2900.5-—2002，IEC60050（212）：1990，EQV)
GB/T2900.8
GB/T4585
GB/T14597
GB/T22707
3术语和定义
电工术语绝缘子（GB/T2900.8—2009，IEC60050—471:2007，IDT）交流系统用高压绝缘子的人工污移试验（GB/T4585--2004，IEC60507：1991，IDT）电工产品不同海拔的气候环境条件直流系统用高压绝缘子的人工污移试验（GB/T22707-—2008，IEC/TR61245：1993，GB/T2900.5和GB/T2900.8确立的以及下列术语和定义适用于本标准。3.1
高海拔地区
区highaltitudearea
海拔高度不小于1000m的地区。
统一爬电比距（USCD）unitedspecificcreepagedistance绝缘子的爬电距离除以该绝缘子上的最大运行电压（对于交流系统，通常为U/V3），单位为mm/kV。
4高海拔地区污条件下绝缘子污耐受电压的修正4.1温度和湿度的修正
在高海拔地区污移条件下，绝缘子的污耐受电压不考虑温度和湿度的修正。4.2污耐受电压的修正
在高海拔地区污移条件下，绝缘子的污耐受电压的修正系数k为：Un.w=k.U.w
[-(1-4.1)
DL/T368—2010
式（2）简化为下式：
式中：
k, =10.12n(H-1)
在高海拔地区污移条件下绝缘子的污耐受电压修正系数：Uaw
-在高海拔地区污移条件下绝缘子（串）的污耐受电压，kV：一高海拔地区的气压，kPa；
一在海拨1000m以下污移条件下绝缘子（串）的污耐受电压，kV；在海拨1000m处的气压，取89.8kPa：H--海拨高度，km，1000m≤H≤5500m；n
气压影响特征指数。
4.3气压影响特征指数的选取
气压影响特征指数n与电压类型、绝缘子型式、绝缘子材料以及污移度等有关。(3)
表1中的n值是在人工气候试验室和自然高海拔现场工况下，采用GB/T4585和GB/T22707所规定的人工污移试验方法获得的。附录A给出了国内外在人工气候试验室和自然高海拔现场工况下，采用GB/T4585和GB/T22707所规定的人工污移试验方法获得的不同型式绝缘子的n值，在选择n时也可参考。表1n值选取
系统类型
直流负极性
0.55~0.60
0.35~0.45
注1：表中n值是基于绝缘子短串和部分绝缘子长串的试验结果，绝缘子长串可参考执行：注2：普通型盘形悬式绝缘子取表中n较小值，耐污型盘形悬式绝缘子取表中n较大值，复合绝缘子取表中n较小值：注3：绝缘子在轻污移等级取表中n较大值，重污移等级取表中n较小值。5
统一爬电比距（USCD）的修正
海拔与气压的关系
根据GB/T14597规定，本标准将海拔与气压的关系分为10级，见表2。表2
海拨H
气压P
海拔与气压的关系
高海拨地区污移条件下统一爬电比距（USCD）的海拔修正系数4.0
在高海拔地区所使用的交、直流瓷、玻璃绝缘子（串）和复合绝缘子的USCD按式（4）进行修正，即：=
式中：
高海拔地区污移条件下绝缘子USCD，mm/kV；-1000m以下地区的绝缘子的USCD，mm/kV；高海拔地区污移条件下USCD的海拔修正系数。附录B给出了高海拔地区污移条件下USCD的修正系数示例。(4)
附录A
（资料性附录）
气压影响特征指数n值
DL/T368—2010
表A.1～表A.12给出了国内外在人工气候试验室和自然高海拔现场工况下，采用GB/T4585和GB/T22707所规定的人工污移试验方法获得的不同型式绝缘子的n值。清华大学得到的交流试验下的n值（1993年及以前）表A.1
绝缘子基本技术参数
绝缘子型式
光滑瓷圆柱
ZS-35/400
ZWS-35/400
XPs-16
XWPz-16
最大公称
直径D
公称结构
高度H
固体层法/定量涂刷方式：
注1：染污方式：
注2：污移成分：氯化钠、硅藻土和糊精：注3：灰密：2.0mg/cm；
注4：加压方式：均匀升压法：
注5：试验场所：人工气候室：
注6：温度：<35℃；
注7：气压范围：50kPa103kPa：注8：试品及串长：3片串悬式绝缘子。表A.2
绝缘子型式
XP-210
XWP-210
XP-300
XWP2-210
LXY-210
LXY1-300
LXY2-300
LXY-120
公称爬电下载标准就来标准下载网
距离L
mg/cm2
清华大学得到的交流试验下的n值（1994年至今）绝缘子基本技术参数
最大公称
直径D
公称结构
高度H
公称爬电
距离L
mg/cm?
DL/T3682010
绝缘子型式
支柱1
支柱1（涂RTV)
支柱2
支柱3
复合绝缘子1
复合绝缘子2
复合绝缘子3
最大公称
直径D
270/240
270/240
270/230
150/100
150/100
150/100
表A.2（续）
绝缘子基本技术参数
公称结构
高度H
固体层法/定量涂刷方式；
注1：染污方式：
注2：污移成分：氯化钠、硅藻土和糊精；注3：灰密：2.0mg/cm；
注4：加压方式：均匀升压法；
注5：试验场所：人工气候室；
注6：温度：<40℃；
注7：海拔范围：0~3km；
注8：试品及串长：3片串悬式绝缘子和复合绝缘子。复合绝缘子表面为亲水性状态。复合绝缘子表面为增水性状态。b
绝缘子型式
公称爬电
距离L
mg/cm2
0.51\/0.36
0.47/0.13
清华大学得到的交流试验下的n值（1994年至今）绝缘子基本技术参数
最大公称直径D
XWP-70
支柱1
支柱2
270/240
公称结构高度H
注1：染污方式：
固体层法/定量涂刷方式；
注2：污移成分：氯化钠、硅藻土和糊精：注3：灰密：2.0mg/cm；
注4：加压方式：均匀升压法；
注5：试验场所：人工气候室：
注6：温度：<40℃，
注7：海拔范围：4km~6km；
注-8：试品及串长：3片串悬式绝缘子和支柱绝缘子。公称爬电距离L
mg/cm?
表A.4清华大学得到的直流试验下的n值绝缘子型式
支柱1°
最大公称直径D
296/266/127
绝缘子基本技术参数
公称结构高度H
公称爬电距离L
0.05/0.10
DC (+)
DC (-)
0.21/0.44
绝缘子型式
支柱2″
支柱3*
XZP-210b
XZWP-300%
XZSP-300%
最大公称直径D
321/127
311/251/127
3600/3500
3900/3450/3650
1）染污方式：
式：量
表A.4（续）
绝缘子基本技术参数
公称结构高度H
公称爬电距离L
固体层法/定量涂刷方式：2
2）污秒成分：
氯化钠、
mg/cm2
0.05/0.10
0.05/0.10
0.05/0.10
0.05/0.10
0.05/0.20
硅藻土和糊精：
DC (+)
DL/T368
DC (-)
0.34/0.56
0.77/0.33
0.77/0.72
0.67/0.72
0.60/0.72
盐密/灰密：
4）加压方
恒压升降法；5）试验场所：人工气候室；6）温度：<40℃；7）海拔范围：0~3km；8）试品：支柱绝缘固体层法/定量涂刷方式；2）污移成分：氯化钠、高岭土；3）盐密/灰密：1:6；4）加压方式：恒
1）染污方式：
压升降法；5）试验场所：人工气候室；6）温度：同上；7）海拔范围：0～3km；8）试品及串长：3片串悬式绝缘子。
重庆大学得到的交流试验下的n值绝缘子基本技术参数
绝缘子型式
XWP2-70
XP-160
XP3-160
LXP-160
XWP3-160
最大公称直径D
公称结构高度H
注1：
染污方式：
固体层法/定量涂剧方式：
污移成分：氯化钠和硅藻土；
注2：
注3：灰密：2.0mg/cm2；
加压方式：均匀升压法；：
注4：
注5：1
试验场所：人工气候室；
温度：<40℃；
注6：
注7：
海拔范围：0~3km；
试品及串长：3片串悬式绝缘子。注8：
绝缘子型式
XP-160
LXY-70
LXHY-70
XWP2-70
FXBW-10/70
公称爬电距离L
重庆大学得到的交流试验下的n值最大公称直径D
130/（100）
公称结构高度H
公称爬电距离L
mg/cm2
0.03~0.25
0.511/0.486
0.586/0.588
0.577/0.511*
0.535%0.532
0.579/0.565
0.587/0.587
DL/T3682010
绝缘子型式
FXBW-27.5/100(L)
FXBW-27.5/100(S)
FXBW-35/100
QBN2-25
最大公称直径D
150/（100）
150/（100）
150/（100）
表A.6（续）
公称结构高度H
公称肥电距离L
0.03~0.25
0.575°/0.587
0.507/0.506
0.517/0.511
0.580°/0.579*
1）染污方式：固体层法/浸漫污方式；2）污移成分：硅藻土、氯化钠和二氧化硅；3）盐密/灰密：1:6：4）加压方式：湿污法一均匀升压法：5）试验场所：自然高海拔现场；6）温度：自然环境温度；7）海拔高度：2.82km~4.50km；8）试品及串长：3～5片串悬式绝缘子。b
1）试验时环境温度校正到标准参考大气条件下；2）未进行温度校正。表A.7
绝缘子型式
FXBW-10/70
750kV复合绝缘子短样A型
750kV复合绝缘子短样B型
750kV复合绝缘子短样C型
重庆大学得到的交流试验下的n值最大公称直径D
130/100
195/155/115
156/121
195/155/115
公称结构高度H
公称爬电距离L
SDD/NSDD
mg/cm2
0.07/（1.0)
0.22/(3.0)
0.07/（1.0)
0.15/（1.0)
0.795\0.825
0.520/0.518
0.780/0.743
0.613/0.586
0.78\/0.863
0.531/0.556
1）染污方式：固体层法/浸污方式；2）污移成分：硅藻土、氯化钠和二氧化硅；3）灰密：2.0mg/cm；4）加压方式：均匀升压法：5）试验场所：人工气候室；6）温度：40℃；7）海拔范围：0.232km~4.0km；8）试品：3
片串悬式绝缘子和复合绝缘子。1）定量涂刷方式；2）浸污方式。重庆大学得到的直流试验下的n值表A.8
绝缘子型式
XWP2-7
DC-II-16
ZS1-35-400
ZWS1-35-400
绝缘子基本技术参数
最大公称直径D
192/150
公称结构高度H
固体层法/定量涂刷方式：
注1：染污方式：
注2：污移成分：硅藻土和氟化钠；注3：灰密：2.0mg/cm2：
注4：加压方式：均匀升压法
注5：试验场所：人工气候室；
注6：温度：40℃：
注7：海拔范围：0.232km~3.0km；注8：试品：3片串悬式绝缘子和整支支柱绝缘子。6
公称爬电距离L
mg/cm2
绝缘子型式
XP-160
XZP-210
LXZP-210
LXZP-300
FXBW-500/160(A)
FXBW500/160(B)
FXBW500/160(C)
FXBW500/160(D)
FXBZ-±800/400(E)
最大公称直径D
175/87
164/125
178/150
175/87
190/110
重庆大学得到的直流试验下的n值公称结构高度H
公称爬电距离L
DL/T3682010
注1：染污方式：盘形悬式绝缘子为固体层法/浸污方式，复合绝缘子为固体层法/定量涂刷方式：污移成分：硅藻土+氯化钠+二氧化硅（盘形悬式绝缘子），硅藻土+氟化钠（复合绝缘子）；注2：
注3：盐密/灰密之比：1:6；
注4：加压方式：均匀升压法：
试验场所：人工气候室；
注5：1
温度：30℃~35℃；
注6：
注7：
海拔范围：0.232km~3.0km；
注8：1
试品：21片串盘形悬式绝缘子和复合绝缘子短样。表A.10
云南电力试验
研究所“
西安高压电器
研究所b
绝缘子型式
国内其他部分单位得到的交流试验下的n值绝缘子基本技术参数
最大公称直径D
CA-580EY
ZS-110/400
固体层/定量涂刷法，
均匀升压法，
公称结构高度H
温度<40℃，
试验地点：
公称爬电距离L
北京（0m)。
(1970m)、
mg/cm?
支柱绝缘子采用定量涂刷，7片串悬式绝缘子采用浸污法，污移成分为硅藻土、
氯化钠和糊精，
升压法，人工气候室，温度<35℃，P：50kPa～103kPa。表A.11
绝缘子型式
悬式PS45*
悬式PM45*
悬式VZM2025*
110kV套管·
USSR（前苏联）得到的交、1
直流试验下的n值
绝缘子基本技术参数
公称结构高度H
公称爬电距离L
污层电导率
0.57/0.65
灰密：2mg/cm2，
DC (-)
0.55/0.49
DL/T368—2010
绝缘子型式
K0400支柱
K0400支柱6
OVNP-35支柱b
ONS-35支柱
K0-400C支柱
ONS-110-300支柱5
ONS-110-500支柱
ONSh-35-300支柱/针型b
RVS-33（cover）b
BMT/15-110 (bushing) b
表A.11（续）
绝缘子基本技术参数
公称结构高度H
公称爬电距离L
污层电导率
气候室进行。P=50kPa125kPa，污移采用污层电导率（μS），绝缘子串长为4~7片。
现场试验。H=0.8，3.2km，污移采用污层电导率（μS)。b
日本东京
大学·
瑞典。
加拿大
绝缘子型式
标准悬式（模型）
防污悬式（模型）
支柱(模型)
三角形玻璃平板
其他国家得到的交、
直流试验下的n值
绝缘子基本技术参数
最大公称直径D公称结构高度H公称爬电距离Lmm
20x18（h），尖端电极为2cm的圆形不详
DC (-)
0.77/0.46
0.595/0.601
0.32/0.23
0.28/0.370
0.380/0.460
0.681/0.660
0.465/0.487
0.827/0.278
0.533/0.450
DC (+)
DC (-)
气候室进行，P=13、36、65、101kPa；绝缘子串长为2片。升压法；浸污方式（氯化钠和砥石粉的混合液）。试验方法不详。
结合各国试验结果给出的建议。8
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备案号：28998-2010
中华人民共和国电力行业标准
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输电线路用绝缘子污秽外绝缘的高海拔修正
The correction of high altitude on pollution external insulation forinsulatorsused intransmissionline2010-05-24发布
国家能源局
2010-10-01实施
2规范性引用文件
3术语和定义
4高海拔地区污移条件下绝缘子污耐受电压的修正5统一爬电比距（USCD）的修正
附录A（资料性附录）气压影响特征指数n值次
附录B（资料性附录）高海拔地区污移条件下USCD的修正系数示例DL/T368-2010
DL/T368—2010
本标准是根据《国家发改委办公厅关于印发2005年行业标准项目计划的通知》（发改办工业[2005]739号）的安排制定的。
本标准根据我国交、直流输电线路用盘形悬式绝缘子在高海拔地区污移条件下人工污移耐受电压特性的研究成果、外绝缘设计和运行经验等制定。本标准的附录A、附录B为资料性附录。本标准由中国电力企业联合会提出。本标准由电力行业绝缘子标准化技术委员会归口。本标准负责起草单位：国网电力科学研究院。本标准参加起草单位：重庆大学、华北电网有限公司、中国电力科学研究院、清华大学、青海电力试验研究院、云南电力科学试验研究院。本标准主要起草人：蒋兴良、杨迎建、吴光亚、刘亚新、张锐、张志劲、宿志一、梁曦东、张仲秋、马仪、舒立春。
本标准在执行过程中的意见或建议反馈至中国电力企业联合会标准化中心（北京市白广路二条1号，100761)。
1范围
DL/T368—2010
输电线路用绝缘子污移外绝缘的高海拔修正本标准规定了标称电压高于1000V交、直流输电线路用盘形悬式绝缘子在高海拔地区污移条件下绝缘子污耐受电压和统一爬电比距的修正方法。本标准适用于海拔高度1000m～5500m地区的盘形悬式绝缘子。支柱绝缘子和套管的污耐受电压和统一爬电比距的修正方法可参考本标准。2规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。GB/T2900.5电工术语绝缘固体、液体和气体（GB/T2900.5-—2002，IEC60050（212）：1990，EQV)
GB/T2900.8
GB/T4585
GB/T14597
GB/T22707
3术语和定义
电工术语绝缘子（GB/T2900.8—2009，IEC60050—471:2007，IDT）交流系统用高压绝缘子的人工污移试验（GB/T4585--2004，IEC60507：1991，IDT）电工产品不同海拔的气候环境条件直流系统用高压绝缘子的人工污移试验（GB/T22707-—2008，IEC/TR61245：1993，GB/T2900.5和GB/T2900.8确立的以及下列术语和定义适用于本标准。3.1
高海拔地区
区highaltitudearea
海拔高度不小于1000m的地区。
统一爬电比距（USCD）unitedspecificcreepagedistance绝缘子的爬电距离除以该绝缘子上的最大运行电压（对于交流系统，通常为U/V3），单位为mm/kV。
4高海拔地区污条件下绝缘子污耐受电压的修正4.1温度和湿度的修正
在高海拔地区污移条件下，绝缘子的污耐受电压不考虑温度和湿度的修正。4.2污耐受电压的修正
在高海拔地区污移条件下，绝缘子的污耐受电压的修正系数k为：Un.w=k.U.w
[-(1-4.1)
DL/T368—2010
式（2）简化为下式：
式中：
k, =10.12n(H-1)
在高海拔地区污移条件下绝缘子的污耐受电压修正系数：Uaw
-在高海拔地区污移条件下绝缘子（串）的污耐受电压，kV：一高海拔地区的气压，kPa；
一在海拨1000m以下污移条件下绝缘子（串）的污耐受电压，kV；在海拨1000m处的气压，取89.8kPa：H--海拨高度，km，1000m≤H≤5500m；n
气压影响特征指数。
4.3气压影响特征指数的选取
气压影响特征指数n与电压类型、绝缘子型式、绝缘子材料以及污移度等有关。(3)
表1中的n值是在人工气候试验室和自然高海拔现场工况下，采用GB/T4585和GB/T22707所规定的人工污移试验方法获得的。附录A给出了国内外在人工气候试验室和自然高海拔现场工况下，采用GB/T4585和GB/T22707所规定的人工污移试验方法获得的不同型式绝缘子的n值，在选择n时也可参考。表1n值选取
系统类型
直流负极性
0.55~0.60
0.35~0.45
注1：表中n值是基于绝缘子短串和部分绝缘子长串的试验结果，绝缘子长串可参考执行：注2：普通型盘形悬式绝缘子取表中n较小值，耐污型盘形悬式绝缘子取表中n较大值，复合绝缘子取表中n较小值：注3：绝缘子在轻污移等级取表中n较大值，重污移等级取表中n较小值。5
统一爬电比距（USCD）的修正
海拔与气压的关系
根据GB/T14597规定，本标准将海拔与气压的关系分为10级，见表2。表2
海拨H
气压P
海拔与气压的关系
高海拨地区污移条件下统一爬电比距（USCD）的海拔修正系数4.0
在高海拔地区所使用的交、直流瓷、玻璃绝缘子（串）和复合绝缘子的USCD按式（4）进行修正，即：=
式中：
高海拔地区污移条件下绝缘子USCD，mm/kV；-1000m以下地区的绝缘子的USCD，mm/kV；高海拔地区污移条件下USCD的海拔修正系数。附录B给出了高海拔地区污移条件下USCD的修正系数示例。(4)
附录A
（资料性附录）
气压影响特征指数n值
DL/T368—2010
表A.1～表A.12给出了国内外在人工气候试验室和自然高海拔现场工况下，采用GB/T4585和GB/T22707所规定的人工污移试验方法获得的不同型式绝缘子的n值。清华大学得到的交流试验下的n值（1993年及以前）表A.1
绝缘子基本技术参数
绝缘子型式
光滑瓷圆柱
ZS-35/400
ZWS-35/400
XPs-16
XWPz-16
最大公称
直径D
公称结构
高度H
固体层法/定量涂刷方式：
注1：染污方式：
注2：污移成分：氯化钠、硅藻土和糊精：注3：灰密：2.0mg/cm；
注4：加压方式：均匀升压法：
注5：试验场所：人工气候室：
注6：温度：<35℃；
注7：气压范围：50kPa103kPa：注8：试品及串长：3片串悬式绝缘子。表A.2
绝缘子型式
XP-210
XWP-210
XP-300
XWP2-210
LXY-210
LXY1-300
LXY2-300
LXY-120
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距离L
mg/cm2
清华大学得到的交流试验下的n值（1994年至今）绝缘子基本技术参数
最大公称
直径D
公称结构
高度H
公称爬电
距离L
mg/cm?
DL/T3682010
绝缘子型式
支柱1
支柱1（涂RTV)
支柱2
支柱3
复合绝缘子1
复合绝缘子2
复合绝缘子3
最大公称
直径D
270/240
270/240
270/230
150/100
150/100
150/100
表A.2（续）
绝缘子基本技术参数
公称结构
高度H
固体层法/定量涂刷方式；
注1：染污方式：
注2：污移成分：氯化钠、硅藻土和糊精；注3：灰密：2.0mg/cm；
注4：加压方式：均匀升压法；
注5：试验场所：人工气候室；
注6：温度：<40℃；
注7：海拔范围：0~3km；
注8：试品及串长：3片串悬式绝缘子和复合绝缘子。复合绝缘子表面为亲水性状态。复合绝缘子表面为增水性状态。b
绝缘子型式
公称爬电
距离L
mg/cm2
0.51\/0.36
0.47/0.13
清华大学得到的交流试验下的n值（1994年至今）绝缘子基本技术参数
最大公称直径D
XWP-70
支柱1
支柱2
270/240
公称结构高度H
注1：染污方式：
固体层法/定量涂刷方式；
注2：污移成分：氯化钠、硅藻土和糊精：注3：灰密：2.0mg/cm；
注4：加压方式：均匀升压法；
注5：试验场所：人工气候室：
注6：温度：<40℃，
注7：海拔范围：4km~6km；
注-8：试品及串长：3片串悬式绝缘子和支柱绝缘子。公称爬电距离L
mg/cm?
表A.4清华大学得到的直流试验下的n值绝缘子型式
支柱1°
最大公称直径D
296/266/127
绝缘子基本技术参数
公称结构高度H
公称爬电距离L
0.05/0.10
DC (+)
DC (-)
0.21/0.44
绝缘子型式
支柱2″
支柱3*
XZP-210b
XZWP-300%
XZSP-300%
最大公称直径D
321/127
311/251/127
3600/3500
3900/3450/3650
1）染污方式：
式：量
表A.4（续）
绝缘子基本技术参数
公称结构高度H
公称爬电距离L
固体层法/定量涂刷方式：2
2）污秒成分：
氯化钠、
mg/cm2
0.05/0.10
0.05/0.10
0.05/0.10
0.05/0.10
0.05/0.20
硅藻土和糊精：
DC (+)
DL/T368
DC (-)
0.34/0.56
0.77/0.33
0.77/0.72
0.67/0.72
0.60/0.72
盐密/灰密：
4）加压方
恒压升降法；5）试验场所：人工气候室；6）温度：<40℃；7）海拔范围：0~3km；8）试品：支柱绝缘固体层法/定量涂刷方式；2）污移成分：氯化钠、高岭土；3）盐密/灰密：1:6；4）加压方式：恒
1）染污方式：
压升降法；5）试验场所：人工气候室；6）温度：同上；7）海拔范围：0～3km；8）试品及串长：3片串悬式绝缘子。
重庆大学得到的交流试验下的n值绝缘子基本技术参数
绝缘子型式
XWP2-70
XP-160
XP3-160
LXP-160
XWP3-160
最大公称直径D
公称结构高度H
注1：
染污方式：
固体层法/定量涂剧方式：
污移成分：氯化钠和硅藻土；
注2：
注3：灰密：2.0mg/cm2；
加压方式：均匀升压法；：
注4：
注5：1
试验场所：人工气候室；
温度：<40℃；
注6：
注7：
海拔范围：0~3km；
试品及串长：3片串悬式绝缘子。注8：
绝缘子型式
XP-160
LXY-70
LXHY-70
XWP2-70
FXBW-10/70
公称爬电距离L
重庆大学得到的交流试验下的n值最大公称直径D
130/（100）
公称结构高度H
公称爬电距离L
mg/cm2
0.03~0.25
0.511/0.486
0.586/0.588
0.577/0.511*
0.535%0.532
0.579/0.565
0.587/0.587
DL/T3682010
绝缘子型式
FXBW-27.5/100(L)
FXBW-27.5/100(S)
FXBW-35/100
QBN2-25
最大公称直径D
150/（100）
150/（100）
150/（100）
表A.6（续）
公称结构高度H
公称肥电距离L
0.03~0.25
0.575°/0.587
0.507/0.506
0.517/0.511
0.580°/0.579*
1）染污方式：固体层法/浸漫污方式；2）污移成分：硅藻土、氯化钠和二氧化硅；3）盐密/灰密：1:6：4）加压方式：湿污法一均匀升压法：5）试验场所：自然高海拔现场；6）温度：自然环境温度；7）海拔高度：2.82km~4.50km；8）试品及串长：3～5片串悬式绝缘子。b
1）试验时环境温度校正到标准参考大气条件下；2）未进行温度校正。表A.7
绝缘子型式
FXBW-10/70
750kV复合绝缘子短样A型
750kV复合绝缘子短样B型
750kV复合绝缘子短样C型
重庆大学得到的交流试验下的n值最大公称直径D
130/100
195/155/115
156/121
195/155/115
公称结构高度H
公称爬电距离L
SDD/NSDD
mg/cm2
0.07/（1.0)
0.22/(3.0)
0.07/（1.0)
0.15/（1.0)
0.795\0.825
0.520/0.518
0.780/0.743
0.613/0.586
0.78\/0.863
0.531/0.556
1）染污方式：固体层法/浸污方式；2）污移成分：硅藻土、氯化钠和二氧化硅；3）灰密：2.0mg/cm；4）加压方式：均匀升压法：5）试验场所：人工气候室；6）温度：40℃；7）海拔范围：0.232km~4.0km；8）试品：3
片串悬式绝缘子和复合绝缘子。1）定量涂刷方式；2）浸污方式。重庆大学得到的直流试验下的n值表A.8
绝缘子型式
XWP2-7
DC-II-16
ZS1-35-400
ZWS1-35-400
绝缘子基本技术参数
最大公称直径D
192/150
公称结构高度H
固体层法/定量涂刷方式：
注1：染污方式：
注2：污移成分：硅藻土和氟化钠；注3：灰密：2.0mg/cm2：
注4：加压方式：均匀升压法
注5：试验场所：人工气候室；
注6：温度：40℃：
注7：海拔范围：0.232km~3.0km；注8：试品：3片串悬式绝缘子和整支支柱绝缘子。6
公称爬电距离L
mg/cm2
绝缘子型式
XP-160
XZP-210
LXZP-210
LXZP-300
FXBW-500/160(A)
FXBW500/160(B)
FXBW500/160(C)
FXBW500/160(D)
FXBZ-±800/400(E)
最大公称直径D
175/87
164/125
178/150
175/87
190/110
重庆大学得到的直流试验下的n值公称结构高度H
公称爬电距离L
DL/T3682010
注1：染污方式：盘形悬式绝缘子为固体层法/浸污方式，复合绝缘子为固体层法/定量涂刷方式：污移成分：硅藻土+氯化钠+二氧化硅（盘形悬式绝缘子），硅藻土+氟化钠（复合绝缘子）；注2：
注3：盐密/灰密之比：1:6；
注4：加压方式：均匀升压法：
试验场所：人工气候室；
注5：1
温度：30℃~35℃；
注6：
注7：
海拔范围：0.232km~3.0km；
注8：1
试品：21片串盘形悬式绝缘子和复合绝缘子短样。表A.10
云南电力试验
研究所“
西安高压电器
研究所b
绝缘子型式
国内其他部分单位得到的交流试验下的n值绝缘子基本技术参数
最大公称直径D
CA-580EY
ZS-110/400
固体层/定量涂刷法，
均匀升压法，
公称结构高度H
温度<40℃，
试验地点：
公称爬电距离L
北京（0m)。
(1970m)、
mg/cm?
支柱绝缘子采用定量涂刷，7片串悬式绝缘子采用浸污法，污移成分为硅藻土、
氯化钠和糊精，
升压法，人工气候室，温度<35℃，P：50kPa～103kPa。表A.11
绝缘子型式
悬式PS45*
悬式PM45*
悬式VZM2025*
110kV套管·
USSR（前苏联）得到的交、1
直流试验下的n值
绝缘子基本技术参数
公称结构高度H
公称爬电距离L
污层电导率
0.57/0.65
灰密：2mg/cm2，
DC (-)
0.55/0.49
DL/T368—2010
绝缘子型式
K0400支柱
K0400支柱6
OVNP-35支柱b
ONS-35支柱
K0-400C支柱
ONS-110-300支柱5
ONS-110-500支柱
ONSh-35-300支柱/针型b
RVS-33（cover）b
BMT/15-110 (bushing) b
表A.11（续）
绝缘子基本技术参数
公称结构高度H
公称爬电距离L
污层电导率
气候室进行。P=50kPa125kPa，污移采用污层电导率（μS），绝缘子串长为4~7片。
现场试验。H=0.8，3.2km，污移采用污层电导率（μS)。b
日本东京
大学·
瑞典。
加拿大
绝缘子型式
标准悬式（模型）
防污悬式（模型）
支柱(模型)
三角形玻璃平板
其他国家得到的交、
直流试验下的n值
绝缘子基本技术参数
最大公称直径D公称结构高度H公称爬电距离Lmm
20x18（h），尖端电极为2cm的圆形不详
DC (-)
0.77/0.46
0.595/0.601
0.32/0.23
0.28/0.370
0.380/0.460
0.681/0.660
0.465/0.487
0.827/0.278
0.533/0.450
DC (+)
DC (-)
气候室进行，P=13、36、65、101kPa；绝缘子串长为2片。升压法；浸污方式（氯化钠和砥石粉的混合液）。试验方法不详。
结合各国试验结果给出的建议。8
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