本标准规定了电力半导体器的专用术语。本标准适用于制订标准、编订技术文件、编写和翻译专业手册、教材及书刊。 GB/T 2900.32-1994 电工术语 电力半导体器件 GB/T2900.32-1994 标准下载解压密码：www.bzxz.net

ur621-382.213:001.4
中华人民共和国国家标
GB/T2900.3294
电工术语
电力半导体器件
Electrotechnical terminologyPower semiconductor device
1994-05-16发布
国家技术监督局
1995-01-01实施
中华人民共和国国家标准
电工术语
电力半导体器件
Elecirotechnical terminolpgyPawer semiconductor device
GD/T 2900.32—94
带G 2900.32—82
中标准参照采用：国际电工客会（C）出物747中子体器件和版街5521属际电工询订：半导怀器件和集成电路3中有关整惠管，品体单，品闸普改其逆用的大诺，1主随内睿与活用范围
小际准现定业为率导体器件的专用术。术标难适用十制订标准、编订技术文件，编写和制详专业手册、技及书刊2基础术语
2.1物理学名词
2.1.1半导体scmiconductou
一冲电阻率通带在金可行能恢体之所.并在一定保度范用内载流了依度随摄度升与雨增如药物质
2.2本征半导体im-insin:wrrrnnlucluir：」型平导体typesemiconzuctar·种在热平衡下传导出了和可动空穴密限几乎相等的高纯导位减完全相等的理想半导怀，2.1.3非本征华导体extrinsic3emiconductor一仲载流子浓取决卡杂质或芯他缺陷的半导体。2.1.4 N塑半导体N-typeaemiceaduetor电子型半导electronsemiconductor一种在热平衡下传导电子密度显丢大丁可动空穴密度的非本征半导体。2.1.5P型半导体P·typeemiconductar空六型半与体hnleselmicomlmlut一种在热平伤下可动在穴渐度若人于传导电子密度的非太征半体，2.1.6钻juaiam
在半孕件中或金再与半本之间，兵有不国电特性两区域之间的过渡区，2. 1.7 PN 纳 PN juneioa
半导体P型区和N肃区之间的结。2.1.8合金结lluyed junetiuu免费标准下载网bzxz
由一种或几种金屏材料与半导体品体合金化形成的结。2.1.9扩散绪diffused junctior由杂质扩敏进人半导体品怀内形成的结。2.1.10生长站grawn jurictiun
出熔融悉半导体生民晶体形收的结，2.1.11外烤结epitaxyunction
在半导体体讨底上，沉积生长品述形成的结。国家技术监督局1994-05-16批准1995-01-01实施
2.1.12结bonding junetiun
GB/T 2900.32
出不同导电性能约两种半导体品直按合形最结。2.1-13宽变结abiuptjuncor.
车杂质举度梯皮的方尚上结的光良还小空间电衙区宽退的一科纺，2.1.14缩变结proghessive junetitr:任东质浓度梯度的与问上的宽度与突间电荷区宽度差不多的一种绍。2.1-75欧婚接程ahmic cantacr
市床-电疏特快装必款海定律的非醛流性的却机快接融。2.1.16杂质apurity
：总元案半异体中的添杂原子；h化合物半导体中药博杂原子，或较化合物半导体理想比例虑分多白（或缺少)的原子。2. 1. 17
信导小了cond.acticne!ct:ons
在电场或浓度弟度的作用下，导体导带中能自山统动电厂2.1.18传condactianurrenr
产外电场的作时下，自也电荷载游子在物质的定向运动。2. 1. 193
究hais
特生象正电商我迹子、在常真满的能带中出现的空位，（花）载流了（charge）arrier2.1.205
半导体中的自用专导的也了空实或离了。2-1.21多数载谁于majoriy cerrier大于（自由裁流子总被虚半数的-种载流2-1.22少数载流了mimoriyrier
小于（自出）载流了总浓度辛数的种载了。2.1.23选剩载流子excecarer：平衡载流子，on-equilibriurt2rricr超逆按热平衡方法偏确定的战流子数的传导电子或空穴：体存命（少数裁流子的）bulkiferime（blminurilycarricr）2.1.24
在均句出体的体内，过剩少致载流子奋度因发合减小刻其韧始值的1/时所需要的时叫。2.1.25空间电营（率半体的）pacechargereginn（of seticnurt:iciur）净电货格度不为季的区献，
：电截审度由传导电下、空实、高化的受主和链主卖比。2.1.26艳冬lepletiulaye
可移动的载硫子密度不足以斗和周定的随主利受主净电荷密度的区域。穿（FN纳的）breakdown（ofareversebiasedja-lin）2.1.27
高动态电阻状态转免到初始低动态电阳状态时，所观察到应问心开始剧烈求加的现案，雪崩击穿（半导体PN结的）uvalanchebreakdowofasemizonductorPNjunctinn）2.1.26
在强电场的作用下，半导体中一毕自由载流子获得能显并电离产生新的电子-空穴时，致使白用就流了信增别起的古穿。
2.1.29销电压avalanchevoltagc产牛雪崩击穿所施加的电长。
2.1.3热穿导体PN洁的）thermalbrcekdown(ofsemicoadactorPNjcnctian）出于耗散功率和结谨的拍互促均作用，使载流子累积增加引起的击穿。穿通（在两个PN箔之间）punch-through（betweenwnPNiuructius）2.1.311
两·个PN站药空间电荷区由于其一或两来约扩展而全相接触避成的导电现象。2
2..32光电效应photoelectric efecGR/T 2900.32--94
由于蝠射和物意之的相儿作州吸收光广作随吓产生可移动载流子的现象。2.1.33生伏效成phorovolelfec
产生出动势的--种光电效座，
2.2组用术话
2.21半导床器件的）erinal（alemienduilurJeui）半导体游件上连要外导你的有效逆接点。2-2.2端子（卡号体器牛的ierminal（otascmicondualnrdevice）用以注按器本体利外部导位的导电作，223出（你带件的）elrlefnfxeiwmluerardaice半导任器件定区域与端了之间损供电接敏的第分。2.2.4向(PN的）fo:ward directinn(nf a PN junetiun）连续（直流）电流N结附实逆的间。2-2.5反(P结的）reverxedireclion(oia[junclian）连线（直流电汽沿P纪高组光动的方，2.2.6（等效>结留！(vi:tunl）juutiortempcraturc基于半于体器件的热电校准关系通过电测压到的结温2.2.7新定结益ratecjuurcicutenperalnre兰导器件止常！作时分许的教高结益温，在此温度下，一有关的额定值计特性都应到保证。
2.2.8忙存温度slurakecemgcraturc半导偿器件在没有证何电显施如情况下的存放温照。2-2.9热降内数thinrulleralingucur于环境私管壳益度的增加，想做功率都定值必减小的比例2.7.10管温chseteaperaturc
在半导体器件针与热定点测得的温度，2.2、113
准点feenwieperature
在半导体器件的受壳成管壳紧密按触的散燃器工知忘的并可以测量的点的盘度，2.7.12Fthjermalresistaucc
在热平确条件下，两规定点（或区域）之间道度毫与产尘达两点温度关的邦胶功之比。结壳热阻为半导体器件结温和管光规定点的温度差与器件粘带动率之比，散热额热用为散热器上规定点和坏斯亲点温度的差与产尘这尚点温差闪耗散功率之比。社，保定器件耗带效本产生的会部热流流经热丽。2.2.13腰慈热阻机iransicutthernalropedance在某一时间间隔末，两规定点或区域)温益然化与引起这值能变化在该时间间隔初始接阶跃用数变化的托微功率之出
2-2.14脉冲条件下的热抗thermaiimpedanceunde:pulsecoadicicts由脉治功本产生的最人钻温相现定外部基痛点湿度的差与由规定周期序的知影脉冲在器中产正的耗教功率幅之比。
过：V忽贴们始既充现象，并定文流功率格最为半，脉冲弟牛下配热用抗以冲持续时间为函数，以占空因数均落数经品。2.2.15容（半导体器件的）thermlcapacitancc（ofarrriuruluulorevice）作为热盐贴存在器里的能与器件结温和规定外部基准点湿度的差之商、3
GR/T 2900.32--94
2.2.16（等效)慈测络
equivaientihermal netwcrk
.种专示车导体器件在电免片下的热状态和结盗持性、包含热阻、热容和热流源必络，此网站游效电网络的分析方法，瓜于计算温度，注，①恨谢了由耗做功率产生的全部热池确经等效热网给，①应尽可能来只有一个然源的等效数网，以使然瓦对业半导体资“产生的全部特融功书2.2,17（等效热闯络热容cguivaleattherus]erwarkchpacitaace一和表征等效热网络存热整的随力：（等效）热网络热班equiva.entthermslnerwarkresistance2.2.18
一行表证等效热列络医止热流的能力紧固范）tightenpnssur(rorquc2. 2. 19
保证电力半导体器牛与散热器具有良好慈偿触的组装压力力矩：2.3件型
2.3.1半导体器件semiconducurtsvics单本特非出半导内载施子流动法定的器牛2-3-2电力半导佳器件owersemicordectaydevice土要用于电力系统的半导体器件，它包括种特流二极件、萌闸，品体料，半导体模快拍组列等。
2.3-3（半导体）二接管(semiccnductor）diode其有两个电极和不对称电正-电流特性的两端半子体器件，2.3.4（半体整流二极管semiconductorreczifierdinde一种用十整流并包括与它连接的安装及冷却附件（如有）的；半导任二段管。2.3.5卡导体流堆aamiconductorrcetfietstack正一个或数个整流誉，连同它（它价)的封装外壳冷乱附件如有）电族结和机械低结组域的单一整装器件，
2-3.6商正止整流堆bigh voltagerectifiet srac，种显示整流管持性，反向能承要数于状以上此压的半导体整流摊，2.3.了（普通将流（二极）笋rerifierdide对反间恢复时间和反向浪涌均率设有特别要求，均在要用于工频的整流节。2.3.8崩鉴流（极>管avalanche rer:tificr dicde·种具有·-定古所齿穿特性，并脂在规定时阅内承受一定反向浪润功率的洗悼。2.3.9可控雪整流（二钳controlledavalancberectifierdiade一种具有量人和量小来穿电压持性，并被颤定在反向击穿区域稳定录件下运行的整流替。2.3.10快连整流（二极>管fesl recuveryrcctifierdicde一钟反向恢每时间较短·恢友电荷世较少，可以在4U0Hz以上频率工作的格进学.2.3.11
高益整流（二极>管high temperaturerectifierdindr一种PN销工作结温通常在175C或更高温度的整流低。2品（体）闸（游）等thyristor2. 3-12
一种包招三个或更害的结能以断态转人态，或由通转人断态的双稳态半导体器件。注，“品用\一同是包折所有PNPN类开关管族系的泛称求进在不或引售湿成误解时，它不身可以用来表示品闻管接系的在何一冲器件，如晶测意用束表示以往承之为可炼础整流死件的反向阻断兰碳品管
2-313反向阻断一假晶闸舞
F reverse blking diode thyristor一种对负阳极电出改有开关作用.面只显现反向阻断状态的二端品阐等。GB/T 2900.32 94
2.3.14这包座所（三极）是刷管revtrelalnicking triodethyristor一种对负阳极再压有开关作用，只呈现反尚阳断状态的兰端品何管。2.3.5（格通二报品闸triolnayrinir一种对长关时间等参数没有持别要求，并士恶用丁工顺的反向阻新三极尚闸等。2.3.16快速（二极晶闸管tus:wiuning Iricriethyrisian一种对开，关时例等参数有特别要求，可以在CGIz以版事你的可阻断二极品闸，2.3-7门极关品网智（GT器闸等）gate tuzn-offthyristor（CiTOthyristor）利施加运当极性门极宿专，可从通态转换到断态或瓜断态热换到通李的三端品问学2.3.1名逆导二极品告reverscEr.ductingdiodethyristor·种对负阳极电后设有五关作用，而当该电压量级与通态电压比摄聘，能通过大电流的二期品制带
fJeverse conductiag :rioie thyristor2.3.19逆导(二极）品闸受
一种对负阳受也证设有开关作用，而当该电乐领与通态市正比拟时，能通过大电统的三尚品问誉.
2.3.2双极品闸管bidirectianaliadethyristor;diec-种在七持性的第，知第二象限内具有基本柜国转换性能的二端品证管。2.3-21双向三极)鼎闸管
fbigirectionaltodethgriatoritin“种在主特性的第·一和第三象限内具有基本相同转换坐能的三端晶制管。2.322F-门极闸管P-gatehyrigtar一种门极要至紫禁期极的P风的品管，这种器件通带在门极-明极间加·正拍号，使之进入通森（克图）
[图门披品抑件尔点图
2-3.23N-板品闸N-Ratethyristor一种门极接至紧靠阳板的N区的品闹管，这钟器件通常在门极-阳板司加一负信学，使之进人浦表（比2！
GBT 2900.32—94
2.3.24光控品间管hoto thyrisro;lighta:tivitetl ilyrislur种理光信亏或光电信卡钟发较之共人通态的品阅肾2.3-25电感应品闸atientuctinnthyrstarSH一钟利旧空间电荷层厚度随门板反向电压技电压定化的静写感应作用米挖制导电能力，只方两端产通和门极反向电玉定断能小的品间管，2.3.26金质案化物半导达门极控（制）品闸管：Ms控品需elai-nxiie-miconductorgatr tantrnl tlyriscor一种具有开通利关断两个门.此两个门极尽金品-金化物-毕导休场效应结构的品闸学2.3.27不对你极闸管ammetriualtriorlethyristor脑定反向电压显滑低十额定断态电压防三端品闸资，注：大对环品问管包码人对师向阻断越品相些即不对你板关断品间告，B单品闸管anidiretinalLhyristc.2.3.28
只利正的用摄司法转换的品管，注：车向品制包拓运向阻断极（或三>品告、P-门极品用和-门报必问等S品配置分先有拨子数，电压-电迹待性弟三象降芯能、控划的物盟类期门安划报力和拖制增类》等成测本术游接费象限功用分装原购而来2.3.29品这transistor
一种能提供功率放大并县有三个或三个以上端子的半导体器件。法：1差十功市空换，生点股在20A以上的品体置通常称为型品体臣（GTR：2-3-30结型晶体管j:s
一种具有-一个基区和两个或更变结的晶运管。计：给妞品体的工取失下外入英区的小教了，2-3-31双极结型品体节parjonsiig-科至变有谢不结，效能能取决于少数装流子支取决多数裁随子的品体管，2.3.32单极型品寄unipclartranaigtor·种电流流动理主要收决十多数数流子的品体管2.333双间品休管bidirectianaltrensiatcr护通尚指为发射极（或源极利染电极或端极）互换，而其布基车相同特件的一件双极站型显体筛。
2.3-34场效童晶体誉Fiellfetransjsl？3.3了单缘册场效应双极品怀件tnaulated-gatefield-e[fect(rarsslor(iGFET）一种具存一个或多个与沟道电约缘的带极的场效成而怀管。2-3.38金展氧化物半导体场效应品体货MOs场效品体增：meal-oxide-emicorductorlieid-eifect transis-o: (MOSFET)
每个栅极和均遵之间的绝象层是氢化物材料的一抑施缘册场效应晶管。2.3.39杰对电制器ttnsientovervoltagesuFpresar心
GB/F290D.32-94
种利用阻断电流-特性药队度区来限划低总注电示的半异休器件。2.3.光电等photorondcivecell
到中光电导效应的器件。
2.41光（生伏池hovoarc
利单光生代打效应的器件。
2（半导体模快ecicoa:turlerln出两个端移人半导保分件管芯（芯片）租可能带有的其他无器竹扫迹接，并通常用单续材样作为外完料装和月有定电路助能的整体单元。2.3.43（半体>牛9emcoriuctorasstmble比降个或者·个半导体分立胎性的端子、放热体和可能持有的其它元器件扣连按，并组装成具有--定电路功能的单元，
比：换长一般不叮亦何，组件成可拆间，拼算好各公立器作内其有组装前的视定性能，2.4附件及结构
2.4.1热器（电力半寻体件用）heat aink2.4.2散热radiato:
日基板（或连有基业）和叶尘，或带有电排钠放的，对敏热器的散热功能起主要作用伪予热件，2.4.3管（电J半导体器件）case（torpcwerberaicanilurtiardevic）：ackaAr（forpowersemi-:mndhetar levie
道过端了微热器与凸略连换并用奖保护情心不泛影响的器件外表部分，普究按外形和装疗支分为螺检形、平离形、平板形（画形)等多种，螺检形管壳由管旧环留座（底座）组成
2.4.4管座（暨壳的）;底座（管壳的）base（ofacase）安装筛芯的管党那部分。
2.4.5管阅（管壳的）cap（af）情射在肾座上用以防止管芯不受环境影询的管壳那部分。2.4,6（半导库）wafer(afasemiconductor）能制作一个或专于个器件（片>的半导体材料博片成扇产起片。2.4-f 芯片chipidie
且方一个或多个FN结的半导体片，2.4.8曾落（等体器作的）rie（ofacmicotductordevice）包括有芯片及其上下导电材料，天包括壳方半导体器存那部分：2.4.9频格形结构EcudmountedlcrmsirurLion系指器作壳为烟枪形的外部缩构，如器件带敬热器.系指器件与批热器以频钉对规孔相接范组装配合结构、
2-4.10平形结构flIaisrconstruction系指器件管壳为平底形的处部站均·如器件带散热器，系指器件与故热战以单而式平面按触的组装配合结构，
2.4.11平板形（国盘形）结构diseconstructian系指器件受壳火平板（遇盘形的外部结树，如器件带教效器，系指器作与胶热器以双而式半而对平面相接触前组袭配合结构，7
3整流二极旨
3.1般术
3.11正间rwal lireticm
GB/T2900-32--94
光高范中流沿紫洗悠恒阻滋通的间3-1.2区向reverse dirercicn
连绞（吉流良流汁整流管高率患动的方向3.1.3性端流管的或鉴唯的nadeterminalofaenicanduetotecifierdiodeotrcctifirceck
正向电流由外部电路流入的端子3.A时板端子流的或宽堆的cailedcccininaicfasenicaudmreciri-ilerrritier 6tack)
正向范向外的电路流出的销子.
3.1.5整流单将rectilierstack arm以电路两个端乎对界、具有成本上只年一个上向专导电满特性的那部分整流作，汁：楚流维性包悟一个或整个申联、样或中井联的整流：二极管共作为一个帮体温了，即整滴堆督可以丹整堆的一部分成全，
3.2频定值和特慢
3.2.1t.向电（整管的）fatward voltuge（of asemiconduetprrectifierdiode）止正向电流流通在两端了问降落的电压3.2.2正i](蜂值电压[unfurwurdvoltag整谊管通以元带或规定咨数额定正尚平均电流值的的磷态样值电压，3.2.3i压（整流管的）revernevltagn（ofMirunrditurrectiiurdiwde）整流高阻力间随加的电压。
3.2.4反向连续（直流电整流的）continuous【cirect）reverseealinxenlMmicnductrertificr drode)
加在整流誉上的恒值反间电压。3.2.5反向工作值电压（整流誓的）crexl(peak）wurking revereewuliage(ufusemicanducro:reclifiet diode)
整流管或整流增西端出现的人瞬时值长向电正，红不包括所有的复和不重复解态乐。3.2.6反向名峰值鸟乐（整管的）rcpetitivepeakreverrevoltage（nfsenicaaduanrrrlifirdicale)
整流管减整流维降端山现的重复最大瞬时值反向电压：包括所有的承复解杰电，但不包活所有的不盘复瞬态出压。
3.2.？反面不重京峰值电压（整管的）nnn-repe1itivepeakrevurnevoltuge（ufascmiconductonrcetifier diodc
整流管或将流堆两端出现的任不单效最人瞬时值变向电，注，重复心通高异生脂的函数，非费器件指散功率增加，不重复瞬杰电正通山多四小面，井假定其影向在第二次不乘复最态电斥米怖之前完全硝失，3.2-8击穿电（率导你器性的）breakdownvoitage（ofsemicanductnrlpvi:）通过结的反向电洲大于规定值时的反间电所，3.2.9正电流furwardeurtent
社整随管低阻力问流通的电流，GD/T 2900.32—94
3-2.10正子均电话munforwerdeurent正向电流在个雷期内的平均值。发呼信具流IepetitivpeakFetwarlusrrert3-2.11
向括所有或复辨态电充的止向峰值电范。法：工向蛭伯值正向平均沉有—中录数类乐：此系数电电络利电源电压形决定。3.2.12正向过载电流nverload forwatdcurrent一种持续工作将性结温知效额定值，前通过需持续时间使结不趣过额定值的正向血流，注：根据竞用需要，器件可湖蒙事受抢过载电，但同时应准驾止需二作自压，3.2.13正虎浪通中surgefarwardcurrenu一种田亏电将异带惜况（虾故障)引起的，并使结端超过额定结危的不单复性最火正向运载电流。
注：丧确电在件存会期为出限划生现的次载3-2.142值整管的）2valueofscmieonduetsrerbierdioce上市案涌电流的平方在电流浪涌持续时间内的积分。3.2-15电流（流的）reverecrefnfraicoadunurectiberdiode）老负披电压下的电流。
3.2.16单值电流（整流管的）eetitivearvehr:currnt（ofaemiecnduatorrectifictdiodc>
格流营加上反向乘复峰值电限时的峰值电流：3-2.17恢复电流（整筑的）Ierserceoverycrrea(odaeniconductortm:t.fieriliud）在反向恢复期闻产言的区间鸣流部分。3.2.18复电荷（整流等的）recoveredcharge(naunicmdurturractifierdiade）披管以定的止向电饰策件向规定的成南条件转授期间，所存在的会部有货，注：恢荐丝贴手的教注于和尽层电客两声分带3.2.19总放功率total power diseipetian在定条生下出止正和总向电流产生的托做功率之和。3.2-20
正地场率furwardpewerdgipation正成心流产生的耗放功率，
3.2-21五向均托动准near.firwurdawnrdissipaton解时正司电压与瞬E正向乱流的案积产一个周期内的平.3.2.22反向邦微功2eversepowerdissipation反向电流产生的托散功车。
浪相做功军（需能和可控洗的）urge revernepnwer rliswijwtiun(ofavaiarcne arid cnnrcliil avudanhe reetificr dioceg?在反内工作时，由波涌发生而在整流管中起的释牧功。3-2.24F做功率（流的）tun-mnwurdiwipEtian（afaemiconductorrectifirrlixle当整流以成向向臣向转换时，在反询电压和正向电流变化期闻，整流管内的耗假功率，3.2.25关断辉教功整管的）turn-offpowerGigsipalien(o[aemicunduerotrectifiezdiode）当整流管从正向可反向转换时，在电流和反向电且变化期间整统管内的耗救功率。3.2-26伏安特生（V-T特性）vrilliagcurrcntcharactetistictV-Icharnclerixtit）包话向和拉向的电压-电流特炸，通带用曲线表示.3.2-27正南持fo:ardcharacteristic我示正向性值电压与上向峰直电流的数关系曲线，GB/T2900.32-94
3.2.28正特性近创百载straightlineapproximat.onof e Entwanl rhatarlitikli正间特性也线：再规宗点拍速前直双，比直线用以近似求示止向自K·电筑特性。3-2. 29
（工向门槛电压（furward）threshoidvoltags由正向特性近似直线动电片轴的必点确定的正向电压值。it:向斜宝电用forwardsloperesistance3.2.30
由证向特性近似直线节斜率期定的电阻值，3-2. 31
惊时的）everaerecovertine（ofcoaduorrectifierdiode当从正向向反向转换时，从电流过零瞬间起，到及向电从峰「戒小到某一规定值（如图3所示>或到反问电沈外推药零点(图4所示)1药时间何两。信：所调外准是出规定点A，连践延长与间辅的炎点（图)图1测试总向换复时间的电流波形3.2.32正向恢宽时间furwardrceovurytirac从零或从规定的反制电压向规定的正向愉管案件瞬时转换以后，电流战也压恢复到规定值所需的时
3.2-33正向恢豆电farwardrecoveryvoltage以零或从规定的反向电压向臣定的止向电流懈时转换以后，卡正尚嵌豆时间期间山现的变亿电话。
4显体管
一般术语
4. 1. 1 基最遇 hsine 1ermimal连关基区的外部有效还跨点。
带solleciorterminal
GB/T 2900:32-94
连至集电区的外部有效还接点：4.1.3发射长带cirr terirel
连至发射区的外筛有效近按点。4-1.4
发射结enitterlunccior:
通背是正向偏的惊卡成和发射区之间的结，等数载能子通过这个铛变感少数载流子.4.1.5禁卡药sterur junetiur
通常展区向偏登的位三基区和集电区之间的结，少数赖流一通过这个结变改患数我流予。4.1-6区hare :egir:n
发射结和集心结之间的域
4.1.7发射区cnrrerrogio
发射结和发射极之间的区较.
4.1.8区crllen:nr rrginn
集电结利巢旺极之间的区域，
栅x（场效应品管的）gate【ofFicld.ffecitransisinr）册极控制良压产生的电杨起作用的风域4.1.10源区（场效应晶达管的）ourceoffiela-elfecttransieor）多数战流子随人沟道前起始区域，4.1.17润区（场数应仁管的）drninurfivlilefteetranaator）多数载液了从沟道流人的区域。4.1.12共.极<伊）conmonbase（arrangemrent）基极端对拖人电踏、范出电路共印，输入端为发射极端、输出踏为求电极端的双极结型晶体的·种电路配互.
4.1.13共兼电极（配滑）com:mor.collcctor（arrangetrtnl）荣电摄端对输入电路，输出电踏共，输入筛为基板满，输止端为发射披端的双吸结型品休善的一种必路配置。
4.1.14其发射极（配置）
nmmenHanitter(urtangement)
发射变端对输入电路、出电踏共用，描入端为基极，输出端为兼电锻端的双结型晶体誉的.弥电路配㎡.
4-2就定值持性
4.2.1集电微-发的极地和电压cnilecr-aiterlurationvolcag期定的基控电流和由外电路定的策电极电流条件下，来电极和发射极则端之间的制余电。
基受-发射极医和电压lwsucrmitterseturatior,voltage4.2.21
品体管车能利区村规是的基极电流、架电级电减案件下，激极和发射极两端之间的电压，d.2.3净F.向电流传输比aticforwardcuraniItansiurrstic输出审压保炼不变时的真流检自电统对直流输人电流之比。4.2.4电级-基极截比电流collectr-besecut-cllcu:rent21
小提示：此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容，若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。