GB/T2900的本部分界定了半导体技术、半导体设计和半导体磁型的通用术语。 GB/T 2900.66-2004 电工术语 半导体器件和集成电路 GB/T2900.66-2004 标准下载解压密码：www.bzxz.net

ICS 01. D40. 29
中华人民共和国国家标雅
GB/T 2900.66—2004/1EC 60050-521:2002电工术语
半导体器件和集成电路
Fle:irotechnical lerminolngy-Semicmductor devices and integrated circuits(1Et: 60050-521;2002,lnteralinmal elerirechmal vocabulatyPart 52l:Seniconducior devices and integrated circuit,IDT)2004-05-10发布
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准花管理委员会
2004-12-01实施
GB/T2900.66—2004/IFC:60050-521.20C2前言
规范性引用文件
3术语和是义
原子物！术
半导体村精特性
“卡体材料工艺·
学导体器件类型
半导位通术语
二扳管少用术语…
品体专用术语
3.R间筑品体管（品闻管）专州术语目
乐效应器件和能电风整专用未语..3.9
华成中路专用术语
数集成电游专用术语
中文索弓
英文案i
GBT230.66——2004/1EC60C50-5212002（3：T2900的本部分等用案用1EC63050.521：2022用际电间常521部分：半吊冰器件机东肃自路
本部分等司翻译IEC65-521。
为了便了使用，本邯分做丁下列缩辑性修收：\“本国原标非\一改为“木部”，剧除国乐标准的首音说明
本标信甲述添编号与10050-，2303误持--致，本标准由全四电工系语标化技术会贞会是山。本标准十全用同工.本语杯准化益来交员会归口.本标准起单位国中子技术标准化研究所（CESI>机械科学研究究：交标准士卖起草人：英，感标球、赖文、多发明、文有励、陈裕妮、1范压
CB/T2900.66—2004/TEC:60050-521:2002电工术语、半导体器件和集成电蹈GH/T2933的本分界定了半导本技术，举导本没计和半导体类弹的通用术治，2规范性引用这件
T：6的-1市：1国际电三词汇第11部分：电的和密的器件3术语和定空
3.1原子物理术语
521-01
非量子化系统（料f的）noh-quantizedsyslem（opericles）新了能是能退迹穿变化日在基…吸间同粒子的位百知速产随定的微观状态的缴已不受限制的特！系统。
521-91-02
量子化系统（新子的quantizedsystem（fa-ticles）粒子能只能取分立值的粒子系统.521-01-03
豪克斯专-婆尔兹舜统计Maxwell-Hnltzmannstatistics车非盘一化系统中出方限小体积的位胃、速或的虽平均确定的该统家观态的概年分和。521-91-0
玻尔兹更关系Beltzmaan relatiun说睡以下内容的关系式：除一个可附所的并效外，料系统的滴干宏混态析牢的自热引敏利戒公些常教的类报
521-21-05
走克斯韦·玻尔慈量速度分布伸：MaxweBollzmnvelo-lty-tlisiriluliunlaw给非F化柔统避度分左守别处于两（d)d),十的粒了数的代数达：
-验了的总数；
粒，的压乐：
T——热力学温度;
骏尔慈受常数，
dN=A-ex
T-m+wd.do.du
许：N代表一个险了的度小新考房内的醛牢，521-01-06
玻尔原子Fohatmm
鼎丁玻求和素木非（sommeneld)概念的京子模型原了牛的甩子以分立的面形减辅网彩析逆用券GB/T2900.66—2304/1EC:EC053-521:2002原了恢运动。
汁：与原+的#·自由对也·最始查·巨们势定原子意创的光系52--{11-07
爱于数（泾是原一中市子的）
quantun Jumhert af an elsctror. in a gisen sto!年个表任给完原了中电了口回我的效，主宗下数
敦造量子数；
广旅量丁效：
总角动了效。
521-01-0S
priacipalquantum aumberfirt quntut unber主量子钳
表行一个烂子户电子解级主英委北的正整数：，按服尔，为子教去我所人小，521-C1-09
轨道子效hitalquantnmnnmhersecondquantunaumber1
能证到部数的量子数为量子教
：照，可识道子效表生子其用于动的实，521-01-10
自选“量于数：spin :quantum number )当把年子行成是卫绕自身灿旋转的带电小球，统出电子角动民的量于数，注：年量放效：—1:3或—1/2,
521-01-11
总角动量量子数1otelaungulaurmnnentamgnaantuinminher云生了用其所道运动打究其自实灿鞋传血产生的收磁的量子数。，的
521-01-12
能级粒广的？enerleveltpa:ticles与物理系统的世一状态相美快的求逐52~01 13
wwrgy-leveldiugram
能毅图
用水平载表示且丁化察统中轻了能极的·种图，其纵坐标为这使料子的能品。52-112
泡刘-变米不相穿除理Paull-Ferniexclusionprinciple泡利源理Panltprlnple
量于化系新中年我级！能穿了或“个起了的原理注：斗一个然在2个于的情及下，个是股相的罚早，521-01-15
费米-我拉克统计Fermi-Dirrcslis1ie费米统FFrrmi statistics
只有分立能数且避从泡利一步然不问界以理闲松了等「化系够的一生实说状态的改率。521-n1-16
落来-狄抗克数FermiIractunclianGR,T 2900.66—2004/1C: 60050-621:2002遵以贵米统斗的整广山定许骼摄（)的能率的荫效)P(F)
是坡尔兹曼常数！
\热力学温度：
FE—-双米能级。免费标准bzxz.net
1 cxp
能级是尽子化的.它叫离纳，1成2个心62101
劳米能级TermHerel
整质为池对零度时，将质体中已有变上末占有态分川的脂经，注，当止！时，米定带的心，
52:-01-18
班电子luuerlecron
单独存弃于一个能敏上的电子，521-01-19
费米-驶拉究-索末菲遮童分布伴FeimiiDiracSnmmcrfeldvelocilydisiributlonlaw给衡的量子化系统分量分别处于间随（的湿了微N代：
521-01-20
啦了的总效；
检了的质量：
热力宁流度；
玻公务要带致！
常数：
权一的动能，E=
内逸出功：
(uI ?:
个粒严的冠虑分保处三新考虑间所内括摄率。photoelectrle etrect
光电效应
因没光了户生的象：
521-01-21
光生伏打效应
光试效应
photovolfaie ffeet
因吸收比子而产上马动势常光电效应，GR/T 2900.66—20Q4/1F.T:60050-521:2002521-01-22
光电导效应plulocundutirefeet以改变电于率为其待征的光电效成521-01-23
光磁电效应phutueleclrunagmlit ffet安要到做和自做描射作用的体广生马场的现象，核电场垂直题场及由光电效应产生并在半导体中扩散的转流严流：3.2半导体材料特性
521-02-01
semienndctan
半导件
两种裁筑了引起的总电与率诞节在导沐利绝然体之间的一种材料这种材料中的载流子法度随外部条件改变变化，
521-02-02
单元累半号件xinglrelemen1semiconduclar在纯亦状态下，由一来组成为半录你。521-02-03
化合物半导体
campoaudsemicmdactor
纯净状密下，出儿种心素组成的半导体，各元素的比例美系境近下它书北学配比521-02-04
杂质iapurits
单元我半体十的其他元实的原了化合物半达中的其亿元求的原了收化金物半协品怀起比定并明比多出或缺少的原一：521-02-C5
杂质漆活能mpurityacilvatiouergy由杂风引起的中间能级与拓邻能带之的间做521-C2-5
商子半导件
iunicsemievnduelor
离子说动起的自导率大于电于利空穴的运动起拍电导率的一导车。521-02-07
本征半导体intrinsicsemiconkluctor短须争师剂的卡导体，在热平衡条计下，其专导马子与审穴浓选」拍等。52152-08
非本证半导体extrinsirkemicinduclar教离二浓收决十杂质或其他缺降的一独半导体。521-02-09
N型半导体N-tyesenicondueton
传导电产境超过率六漆度的种车证生件，521-02-10
P型学导体p-typesemieunduclor空究浓度些过化只电子池度的一护非本证半导体521-02-11
补偿半导体campensatedsemiconductor一种导电类型的杂质我流子陵度的惠啦前分池或完全地抵消5种导中类杂影询前光导体.
521-02-12
非简并半导体nnn-degeneralesemicrnduetarGB/T2900.66—20U2/1EC:60050-521:2002位于能原中的费米能级离土能带达典的如离单小为戒尔受带教和热力学湿乘积两倍的种半导体，
：以克。
521-02-13
并坐导体deacncrate stmicurduclur费文差没位于导中或价中或占其中一个能带的医离我」改添盘要带源和热刀学温度究机倍的一和少导。
近：商半导位的战筑一性以费半致拉范统计521-02-14
传电子enduetimeleeirtn
在电场作出下平导林录带中能移动芯电子，521-02-15
传寻电流
uluetileurnt
在外电场的作用，自由或流子在介质已的实问运动形成的儿流：521-02-16
导体conductor
含右受中场作瓜能够移实的白由载流子的物质。521-02-17
空穴hnle
满带中的空位，电场片川斗现为函大电荷栏移动521-02-18
空穴导电
hukcondurtion
在半导车中，空穴送电场作用准品格中传指市形点的尔电521-02-19
电子导电
eleclronEcnduelinn
在半导体中，传导市二为电场用车品将中位游影成的导电.521-02-20
本征导电
inlriasiccunducliure
在半述中，热源发产生的装证了对生成的实穴和传小电了运动引起的导也。521-02-21
商子导电
lonkccontncdon
外整能量续作压心使离子位落，从而使电也准定向运动而形成的导巾521-02-22
endueliubund
被电子占据的带，其中的出了在外场化用下可以空动，521-02-23
价带valenceband
夜了的
净1弹想品的价带作单零度时完个古满2：价带意岁的电于在价坐产主日产实牛带，产升传单，CB/T 2900.66—2004/TEC: 63050-521.20C2521-02-24
能際energygh
导带的：边异和价带的上边异之间的能521-02-25
能带ena
布洛赫带Bluclbunn
物质中儿乎连续的能级组，
521-02-26
能带（半寻林中）enersbaidir:oenitoril.nicn在半导本小由能的辰大值和最小问限定心广能级的范市521-02-27
部分占%带partlallyoexupikedband能带中的能级没有全部被自机反的州个电子中任··个电，所当或的能心521-02-28
激发警
excitalionmnd
其专对应于物中电子的月能激发态的能级能化。521-72 29
rsermittel hand
盘一个能缴都可被儿了占括的能带。521-02-30
禁带foruidden Inmd
不能被电子合据的服带，
521-02-31
绝缘物insulant
在这种物质十针业为满书.价上第一激发带（带>间的禁相尚资.以举电子从价带激发到号带所需的能量足以使该阅更山尝。62--02-32
滴带rilledbankd
在绝效零虑一，所与能级部微电一占据的分带，52102-33
空带emplyhand
齐绝零息一，使效没有被出了占据的允性，52:-02-34
表面带mfacehand
由指术的表而能经所求的一种充带、52*-02-35
局部能级
冲低换陷率度的情况下，由品情缺陷引起的位于禁非中的能整521-02-36
杂质能级impuritylerel
中会质引起的一局部能级，
521-32-37
impurltyband
杂卧带
GA/T2903.GG—20C4/1EC: 60060-571:20C2山一种均举内率风能级组的部或一部分位十蔡告中的带521-02-38
施主donor
在品格中数单古齿势并以质献出电子的方式形成电了卡电的-缺陷。521-02-39
受主arceplor
在计格中数整占化势药并以接收粤子节光式彩成了六学4的补换陷：
521-02 40
施土能级dunur level
在非本延守，延学带内中间杂则能级，生，绝开时能极境病的心：共能证，同提月平，主能级能的亲师皆带，
52*02-21
acceptorlerel
受土能较
在非木证半休中.求近价带的中川杂质举级.：在度受上级是的也下能节，受能级或决来能带，521-52-42
surfretlenel
表面能级
十品体.表面行作的求质或其他快陷而引起刊局部能级。52172-1.3
施主电商能lonlzlngeergyordanon微十放三能级上的·个出了天让到导书所的最小能最，521-#2-44
ionixingtneryfacceplor
爱主良离售
价带上件，个心了底江削受兰然所需的量小能，521-02-45
理想品体
idealcrvstal
第码是完需则期性的不色含变质或其他缺降的件，521-C2-46
理想配比成分skhimelriccompositlom化合购中年元惑的化学成分完会符合作学分子式代表内比例。521-C2-47
缺陪品格的：aperertanylanire与理想品林在马构的确离，
521-07-4A
intrinsicconduetivity
本征电导事
本证半导体的电导车，
521 02-49
N型电导盛N-tipecnnductivity
丰提供的心了孩动引起的叫导主，521-02-50
型电导率p-typeonduclirily
受提其的空穴药移动引的自室
BT290C.66—200416C60050-521:2302521-C2-51
教流于（本）charge carrlertneeaadulor号体内的传导电子、空穴或商子，521-C2-52
多[数载］于半导位中：mnjnritycarrier（ineiricor.c.uctarTegioa）液度超过赖流子总液度一的裁流下521-0253
少[数数说]T（半异体中）mlnorityearrierirBseriordleljr-im）液度低十载流于总浓一为战益下521-02-54
过剩载于excsscanrien
起过热力学平离状患时载流子数日的传导电子成审穴521-02-55
电导率调制半导达的）ennductivitymednlation（ofscmicondustur）于注人过剩我流了或拍山或然而引起的寻率的变亿，521-32-56
表面急合速度surtacerceumbinaliunvelority得移到半导体表面的少效载源子象会低消失的法，汁：农血定合等十位时间中衣面至损发的复效限以表下方的证制少数载所于液供之商，521-02-57
体寿命（少数费活的）bulklifetime（minarrcarrieta）在均均半导休的沐内，注刺少数敏就了浓魔可有合而减少到其初效值药：时所需的时间。521·02-56
漂移迁移率（载说子的driftmnhilinachgeczr-itr）在电场方问上载流【平均建患的值险以电新崛度的佰所得的商。521-02-53
扩体）ditTusiunfnstra.con:lu.u-只由浓度嵌度新引起的范于运动。521-02-60
扩散长度（数裁流+的）ditfuglonlengihnfmiroricycericrs当少数载流子在均卡导体中扩成时，它的决度减少约其初始苣的1：所过的跑离。521-02-61
扩敬带数（我流了）diffunicnentantitcharucarie）扩放流出质除以裁就仁达原梯产得的商521-02-62
流子存（半导体巾）clnrge rarrie storage:itaeminnductat?与零偏压三商条件下的值拓比，我试了废的局部增：521-02-63
陷阱trap
在半导体禁化，士站资嵌陷或质形成的级，这些集级作为心或容穴的序求中，：5202-64
台中心recombinationcentre
在半导该禁带户，出品确故尚或杂负影成的维级，这此能领能促传只电子和空穴发合，8
521-02-65
PN界面PMbirundary
GB/T2900.65—2004/1EC60050·521:2002的这施学装
52102-66
过谊区transitionregion
在两个均句半于区之间第区域，在这个区域中门性能变化的。：*个均勺区心一教是同的半许样料，521-02-67
杂质浓座过渡区impurityconeenlralianLransilionzune求质泌度以一个数值变另一个数值的区域。521-12-68
中忙区neutral reglon
中子们岛化的受主原一的负牛与定穴和岛化护绝原子虽正出益相平度而实际上呈虫小性的区域：
521-n2-69
势垒potential barrier
在种担接趟的材料之叫敢者在再不业性质的两个均么区域之间，中于双方载流工的扩城形成空间电荷区而产生药电势益。521-02-70
梦垒N结的：potential barrlertotaPNjuneliun分位性区型圾中的两点之间国势521-02-71
肖特基势垒Schnkharrier
当金减与半号体接试时在平导体表而形效的且整流望车用的过渡区其征只有闲挡或流以一个区做移创一个减的势率
521-02-/2
结imrtlon
不电特性的业什运成性件其他类型的层心间的头避区。521-02-73
突变结ahruptjunelion
在质浓度梯度方向上结的宽度远小于空间自荷区宽度的结，521-02-74
变结progresslrejunction
在杂质浓座供理范出可上结的就度与定间出荷区宽望育不多的与。521-02-75
合金结allnyed jenctinn
一种或多书科料与半达品体含金形皮的结。521-02-76
扩改结itasuljunctiuu
在中宁体晶体内用案总护教形成的销521-02-77
生长范grnn junclian
半导位品体从培配波小生长时形成的。
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