本标准规定了再生硅料的技术条件及分类、测试方法、检验规则以及包装、标志、运输、贮存、订货单等。 本标准适用于从生产、加工、使用过程中产生的可回收利用的硅料，来源包括用于生产太阳能级硅晶体的除过碳的碳极多晶硅（碳头料）、晶体硅头尾料、边皮料、埚底料、晶体硅样块、原生型废硅片等。
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC243)归口。
本标准起草单位:西安隆基硅材料股份有限公司。
本标准主要起草人:李振国、钟宝申、赵可武、张群社。
本标准系首次发布。
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T1551 硅单晶电阻率测定方法
GB/T1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
GB/T14264 半导体材料术语
GB/T24574 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法
GB/T24579 酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物
GB/T24581 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测试方法
GB/T24582 酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质
SEMIPV1 用高分辨率辉光放电光谱测定法测定太阳能级硅中的痕量元素

ICS 77. 150. 99
中华人民共和国有色金属行业标准YS/T840—2012
再生硅料分类和技术条件
Classification and technical specification for renewable crystal silicon2012-11-07发布
数码防伤
中华人民共和国工业和信息化部2013-03-01实施
中华人民共和国有色金属
行业标准
再生硅料分类和技术条件
YS/T840—2012
中国标准出版社出版发行
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中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷各地新华书店经销
开本880×1230
2013年1月第一版
印张0.5
字数8千字
2013年1月第一次印刷
书号：155066·2-24295
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由本社发行中心调换
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本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。本标准由全国有色金属标准化技术委员会（SAC/TC243)归口。本标准起草单位：西安隆基硅材料股份有限公司。本标准主要起草人：李振国、钟宝申、赵可武、张群社。本标准系首次发布。
YS/T840—2012
1范围
再生硅料分类和技术条件
YS/T840—2012
本标准规定了再生硅料的技术条件及分类、测试方法、检验规则以及包装、标志、运输、贮存、订货单等。
本标准适用于从生产、加工、使用过程中产生的可回收利用的硅料，来源包括用于生产太阳能级硅晶体的除过碳的碳极多晶硅（碳头料）、晶体硅头尾料、边皮料、埚底料、晶体硅样块、原生型废硅片等。2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T1550
GB/T1551
GB/T1558
GB/T14264
GB/T24574
GB/T24579
非本征半导体材料导电类型测试方法硅单晶电阻率测定方法
硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法半导体材料术语
硅单晶中Ⅲ-V族杂质的光致发光测试方法酸浸取原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物GB/T24581
GB/T24582
SEMIPV1
3术语和定义
低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、V族杂质含量的测试方法酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质用高分辨率辉光放电光谱测定法测定太阳能级硅中的痕量元素GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。3.1
碳极多晶硅（碳头料）carbonendspolysilicon在多晶硅生产过程中，包围在U型多晶硅棒的碳极周围，沾连有石墨的不规则形状多晶硅料。3.2
单晶硅头尾料
monocrystallinetopandtail
在拉制单晶硅棒过程中形成的头尾圆锥体。也包括拉制单晶失败产生的多晶硅棒和位错单晶。3.3
埚底料potscrap
在拉制单晶硅棒的过程中，残留在石英埚中的硅料。3.4
晶体硅样块testsiliconmaterial在晶体硅棒的检测和评估中作为测试用的样块。3.5
原生型废硅片brokenwafer
在硅棒切割、研磨或抛光过程中产生的不合格硅片。1
YS/T840—2012
4要求
技术条件及分类
再生硅料可选择按电阻率或按杂质浓度进行分档，需经供需双方协商一致。每一档的产品应该同时满足本档的要求，若某项指标超出标准，则降为下一档。按电阻率分，各档不同导电类型的相关参数应符合表1的规定；按杂质浓度分，各档的相关参数应符合表2的规定。表1
导电类型
受主杂质浓度/ppba
施主杂质浓度/ppba
碳浓度/ppma
金属杂质（Ti,Cr，Fe，Ni,Cu，Zn，Mo)总含量/ppba
4.2尺寸范围
再生硅料的线性尺寸不小于3mm。4.3外观特征
电阻率范围/（α·cm）
2～40
≤300
≤100
再生硅料的外观应无色斑、氧化层以及其他的污染物等。5测试方法
5.1再生硅料中碳浓度测量按照GB/T1558的规定进行。三档
≤1000
≤100
≤200
5.2再生硅料中IⅢI、V族杂质含量按照GB/T24574或GB/T24581、SEMIPV1、GB/T24579、SIMS测试。
5.3再生硅料中的金属杂质含量按照SEMIPV1或GB/T24579、GB/T24582、SIMS测试。5.4再生硅料的尺寸分布范围用筛网检验，或由供需双方商定的方法检验。5.5再生硅料的表面质量用目视或放大镜检查。5.6再生硅料的导电类型测试方法按照GB/T1550进行测试。5.7
再生硅料的电阻率测定按照GB/T1551进行测试。6检验规则
6.1.检查和验收
YS/T840—2012
6.1.1再生硅料应由供方质量监督部门进行检验。保证质量符合本标准（或订货合同)的规定，并填写质量证明书，
6.1.2需方可对收到的产品按订货单(或合同)进行检验，若检验结果与本标准（或订货合同)的规定不符时，应在收到产品之日起3个月内向供方提出，由供需双方协商解决。6.2组批
每批应由相同型号、相同档位的产品组成。6.3检验项目
出厂检验项目包括一般检验项目和特殊检验项目。一般检验项目：包括型号、电阻率、表观质量以及尺寸；特殊检验项目：包括受主杂质浓度、施主杂质浓度、碳含量、金属杂质含量等。6.4检验结果判定
6.4.1每批产品的一般检验项目均采用全数检验，特殊检验项目由供需双方协商一致解决。接受质量限（AQL)规定为Ac=0，Re=1，或由供需双方协商解决。6.4.2
7标志、包装、运输、贮存
7.1产品的包装
产品用洁净的聚乙烯桶（盒）包装或用洁净的聚乙烯包装袋封装并用纸箱或木箱进行外包装；包装时应防止容器破损，以避免产品外来污染。7.2标志
包装箱（桶）外应标有“小心轻放”及“防腐、防潮”字样或标志，并标明：a）
供方名称；
b）产品名称及分档；
净重、毛重；
d）批号及件数。
7.3运输
产品在运输过程中应轻装轻卸，勿压勿挤，并采取防震防潮措施。7.4贮存
产品应贮存在清洁、干燥环境中。7.5质量证明书
每批产品应附有质量证明书，注明：YS/T840—2012
供方名称；Www.bzxZ.net
产品毛重、净重；
各项检验结果及检验部门印记；c)
本标准编号或合同编号；
出厂日期。
8订货单（或合同)内容
本标准所列产品的订货单（或合同)应包括下列内容：a）产品名称；
b）要求；
c）数量；
d）本标准编号：
e），其他。
YS/T840-2012
打印日期：2013年2月26日F007
版权专有侵权必究
书号：155066·2-24295
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